О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
DMN3404L-7

DMN3404L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN3404L-7
  • Корпус
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 720mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3404L-7 系列 DMN3404L
  • PDF DMN3404L-7.pdf
DMP1045U-7

DMP1045U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP1045U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 800mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045U-7 系列 DMP1045U
  • PDF DMP1045U-7.pdf
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG2305UX-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-13 系列 DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-13.pdf
DMG2305UX-7

DMG2305UX-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG2305UX-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-7 系列 DMG2305UX
  • PDF DMG2305UX-7.pdf
DMP3098L-7

DMP3098L-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP3098L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098L-7 系列 DMP3098L
  • PDF DMP3098L-7.pdf
DMP4051LK3-13

DMP4051LK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP4051LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.2A мощность (Pd) 2.14W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 51mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4051LK3-13 系列 DMP4051LK3
  • PDF DMP4051LK3-13.pdf
2N7002KQ-7

2N7002KQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • Модель2N7002KQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 380mA мощность (Pd) 370mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002KQ-7 系列 2N7002KQ-7
  • PDF 2N7002KQ-7.pdf
DMP6023LE-13

DMP6023LE-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP6023LE-13
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7A;18.2A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5A корпус SOT-223-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LE-13 系列 DMP6023LE
  • PDF DMP6023LE-13.pdf
DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP3013SFV-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 12A;35A мощность (Pd) 940mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 9.5mΩ@10V,11.5A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3013SFV-7 系列 DMP3013SFV
  • PDF DMP3013SFV-7.pdf
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG1012UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1A мощность (Pd) 290mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@4.5V,600mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1012UW-7 系列 DMG1012UW
  • PDF DMG1012UW-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 910111213141516...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd