Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 720mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3404L-7 серия DMN3404L
Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 800mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1045U-7 серия DMP1045U
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-13 серия DMG2305UX
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2305UX-7 серия DMG2305UX
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098L-7 серия DMP3098L
Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.2A мощность (Pd) 2.14W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 51mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP4051LK3-13 серия DMP4051LK3
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 380mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002KQ-7 серия 2N7002KQ-7
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7A; 18.2A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5A корпус SOT-223-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LE-13 серия DMP6023LE
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 12A; 35A мощность (Pd) 940mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 9.5mΩ@10V,11.5A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3013SFV-7 серия DMP3013SFV
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1A мощность (Pd) 290mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@4.5V,600mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1012UW-7 серия DMG1012UW