Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 630mA мощность (Pd) 280mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@4.5V,600mA корпус SOT-523-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG1012T-7 серия DMG1012T
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3099L-7 серия DMP3099L
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 600mA мощность (Pd) 625mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,600mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A13FTA серия ZXMP10A13F
Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138-7-F серия BSS138
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 170mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS123-7-F серия BSS123
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4A мощность (Pd) 900mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 39mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3415U-7 серия DMG3415U
Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 660mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG2302UK-7 серия DMG2302UK
Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 1.38W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3056L-7 серия DMP3056L
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 230mA мощность (Pd) 310mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002DW-7-F серия 2N7002DW
Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 200mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA корпус SC-70-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138W-7-F серия BSS138W