О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
VNN7NV04PTR-E

VNN7NV04PTR-E-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельVNN7NV04PTR-E
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号VNN7NV04PTR-E封装SOT-223-4开关类型通用输出数1比率 - 输入:输出0.042361111输出配置低端输出类型N 通道接口开/关电压 - 负载36V电压 - 供电 (Vcc/Vdd)不需要电流 - 输出6A导通电阻65 毫欧（最…
  • PDF VNN7NV04PTR-E.pdf
Консультация
STB80NF10T4

STB80NF10T4-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTB80NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB80NF10T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)182nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.5nF@25V工作温度-5…
  • PDF STB80NF10T4.pdf
Консультация
STP8N120K5

STP8N120K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP8N120K5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP8N120K5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.2kV连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@10V,2.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA
  • PDF STP8N120K5.pdf
Консультация
STL110N10F7

STL110N10F7-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTL110N10F7
  • КорпусPowerFLAT-8(5x6)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STL110N10F7封装PowerFLAT-8(5x6)FET 类型N 通道技术MOSFET漏源电压（Vdss）100 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)107A（Tc）驱动电压10V不同 Id、Vgs 时导通电阻6 毫欧 @…
  • PDF STL110N10F7.pdf
Консультация
STF2N95K5

STF2N95K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF2N95K5
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF2N95K5封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)2A功率(Pd)20Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA
  • PDF STF2N95K5.pdf
Консультация
STD2NK100Z

STD2NK100Z-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD2NK100Z
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2NK100Z封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)1.85A功率(Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8.5Ω@10V,900mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)16nC@10V输入电容(Ciss@Vds)499pF@25V…
  • PDF STD2NK100Z.pdf
Консультация
STL60P4LLF6

STL60P4LLF6-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTL60P4LLF6
  • КорпусPowerFlat-8
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STL60P4LLF6封装PowerFlat-8类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)60A功率(Pd)100Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)14mΩ@6.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)34nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)3.525nF@25V
  • PDF STL60P4LLF6.pdf
Консультация
STS1DNC45STS1DNC45

STS1DNC45STS1DNC45-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTS1DNC45STS1DNC45
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STS1DNC45封装SOIC-8类型2个N沟道漏源电压(Vdss)450V连续漏极电流(Id)400mA功率(Pd)1.6Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.1Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V输入电容(Ciss@Vds)160pF@25V反向传…
  • PDF STS1DNC45STS1DNC45.pdf
Консультация
STW12N120K5

STW12N120K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW12N120K5
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW12N120K5封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.2kV连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)620mΩ@10V,6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)44.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.37nF@100V反向…
  • PDF STW12N120K5.pdf
Консультация
STP4NK60ZFP

STP4NK60ZFP-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP4NK60ZFP
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP4NK60ZFP封装TO-220F类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@10V,2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V输入电容(Ciss@Vds)510pF@25V
  • PDF STP4NK60ZFP.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 106107108109110111112113...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd