Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP90NF03L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)90A功率(Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6.5mΩ@10V,45Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)47nC@5V输入电容(Ciss@Vds)2.7nF@25V工作温度-6…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2NK90ZT4封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)2.1A功率(Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1.05Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)485pF@25V反向传输电…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N20LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)5A功率(Pd)33Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)700mΩ@5V,2.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)6nC@5V输入电容(Ciss@Vds)242pF@25V工作温度-55℃~+…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW70N60M2封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)68A功率(Pd)450Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)40mΩ@10V,34Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)118nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@100V工作温度…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2N95K5封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)2A功率(Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V输入电容(Ciss@Vds)105pF@100V工作温度-55℃~+150…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF8N80K5封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)6A功率(Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)950mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15810封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110A功率(Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STN3P6F6封装SOT-223类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)3A功率(Pd)2.6Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@10V输入电容(Ciss@Vds)340pF@48V工作温度-55…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD1NK60T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)1A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8.5Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3.7V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V输入电容(Ciss@Vds)156pF@25V工作温度-55…