О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STD2LN60K3STD2LN60K3

STD2LN60K3STD2LN60K3-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD2LN60K3STD2LN60K3
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2LN60K3封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2A功率(Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.5Ω@1A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)235pF@50V反向传输电容(Cr…
  • PDF STD2LN60K3STD2LN60K3.pdf
Консультация
STF24N60DM2

STF24N60DM2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF24N60DM2
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF24N60DM2封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)200mΩ@10V,9A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
  • PDF STF24N60DM2.pdf
Консультация
STD11N65M5

STD11N65M5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD11N65M5
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD11N65M5封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)85Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)480mΩ@10V,4.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)620pF@100V
  • PDF STD11N65M5.pdf
Консультация
STP5NK100Z

STP5NK100Z-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP5NK100Z
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP5NK100Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV连续漏极电流(Id)3.5A功率(Pd)125Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.7Ω@1.75A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)59nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.154nF@25V反向传…
  • PDF STP5NK100Z.pdf
Консультация
STD5N52U

STD5N52U-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD5N52U
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N52U封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)525V连续漏极电流(Id)4.4A功率(Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.5Ω@10V,2.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)16.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)529pF@25V工作温度-…
  • PDF STD5N52U.pdf
Консультация
STF15NM65N

STF15NM65N-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF15NM65N
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF15NM65N封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,6A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STF15NM65N.pdf
Консультация
STW6N95K5

STW6N95K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW6N95K5
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW6N95K5封装TO-247-3漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V反向传输电容(Crss@Vds)1.6p…
  • PDF STW6N95K5.pdf
Консультация
STO36N60M6

STO36N60M6-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTO36N60M6
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STO36N60M6封装TOLL类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)30A功率(Pd)230Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)99mΩ@15A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.75V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)44.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.96nF@100V工作温…
  • PDF STO36N60M6.pdf
Консультация
STL26NM60N

STL26NM60N-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTL26NM60N
  • КорпусSMD
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STL26NM60N封装SMD类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)2.7A；19A功率(Pd)125mW；3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.8nF@50V反…
  • PDF STL26NM60N.pdf
Консультация
STP100N8F6

STP100N8F6-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP100N8F6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP100N8F6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)100A功率(Pd)176Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,50A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)100nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.955nF@25V反向传输电…
  • PDF STP100N8F6.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 109110111112113114115116...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd