О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STD1NK60T4

STD1NK60T4-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD1NK60T4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD1NK60T4封装DPAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)1A功率(Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8.5Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3.7V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)156pF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STD1NK60T4.pdf
Консультация
STN3N40K3

STN3N40K3-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTN3N40K3
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STN3N40K3封装SOT-223类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)400Vпостоянный ток стока (Id)1.8A功率(Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.4Ω@10V,600mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)11nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)165pF@50Vрабочая температура …
  • PDF STN3N40K3.pdf
Консультация
STD10N60M2

STD10N60M2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD10N60M2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD10N60M2封装DPAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)7.5A功率(Pd)85Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)600mΩ@3A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)400pF@100Vрабочая температура -5…
  • PDF STD10N60M2.pdf
Консультация
STP80NF70

STP80NF70-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP80NF70
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP80NF70封装TO-220AB-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)68Vпостоянный ток стока (Id)98A功率(Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9.8mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)75nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.55nF@25Vрабочая температура …
  • PDF STP80NF70.pdf
Консультация
STD10NM60N

STD10NM60N-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD10NM60N
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD10NM60N封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)10A功率(Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)550mΩ@10V,4Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)19nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)540pF@50V工作…
  • PDF STD10NM60N.pdf
Консультация
STL140N6F7

STL140N6F7-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTL140N6F7
  • КорпусPDFN-8(5x5.8)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STL140N6F7封装PDFN-8(5x5.8)类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)145A功率(Pd)4.8Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2.5mΩ@10V,16Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@1mA
  • PDF STL140N6F7.pdf
Консультация
STD10NF30

STD10NF30-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD10NF30
  • КорпусTO-252(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD10NF30封装TO-252(DPAK)类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)300Vпостоянный ток стока (Id)10A功率(Pd)103Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)330mΩ@5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)23nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)780pF@25V工作温…
  • PDF STD10NF30.pdf
Консультация
STF18N60M2

STF18N60M2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF18N60M2
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STF18N60M2封装TO-220F-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)13A功率(Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)280mΩ@10V,6.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STF18N60M2.pdf
Консультация
STS2DNF30L

STS2DNF30L-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTS2DNF30L
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STS2DNF30L封装SO-8类型2个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)3A功率(Pd)2Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)110mΩ@10V,1Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)4.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)121pF@25Vрабочая температура -55℃~…
  • PDF STS2DNF30L.pdf
Консультация
STW24N60M2

STW24N60M2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW24N60M2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STW24N60M2封装TO-247-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)18A功率(Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)190mΩ@9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.06nF@100Vобратная передача …
  • PDF STW24N60M2.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 105106107108109110111112...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd