Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STS6NF20V封装SO-8类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)2.5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)40mΩ@4.5V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)600mV@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)11.5nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)460pF@15V
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW48NM60N封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)44A功率(Pd)330Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)70mΩ@10V,20Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD3NK90ZT4封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)3A功率(Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.8Ω@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)22.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)590pF@25V…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP6NK90Z封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)5.8A功率(Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@10V,2.9Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)60.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@25V工作温度…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP10NK60ZFP封装TO-220F类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)750mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)70nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.37nF@25V工作…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20NK50Z封装TO-247AC-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)270mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13N65M2封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)10A功率(Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)430mΩ@5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)590pF@100V反向传输电…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB6NK90ZT4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)5.8A功率(Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@2.9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)60.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@25V反向传…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD45P4LLF6AG封装DPAK类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)58Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@25A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)65.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.525nF@25V工作温…
Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD40NF10封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)125Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,25Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)62nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.18nF@25V反向传输电容(…