О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STF33N60M2

STF33N60M2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF33N60M2
  • КорпусTO-220FP-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STF33N60M2封装TO-220FP-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)26A功率(Pd)35W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@13A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)45.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.781nF@100V工…
  • PDF STF33N60M2.pdf
Консультация
STW48N60M2

STW48N60M2-ST

Консультация
STP43N60DM2

STP43N60DM2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP43N60DM2
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP43N60DM2封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)34A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)93mΩ@10V,17A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)56nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.5nF@100V工作温度-…
  • PDF STP43N60DM2.pdf
Консультация
STP18N60M2

STP18N60M2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP18N60M2
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP18N60M2封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFET漏源电压（Vdss）600 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A（Tc）驱动电压10V不同 Id、Vgs 时导通电阻280 毫欧 @ 6.5A，1…
  • PDF STP18N60M2.pdf
Консультация
STB60NF06LT4

STB60NF06LT4-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTB60NF06LT4
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB60NF06LT4封装TO-263-2类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)60A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)66nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2nF@25V工作温度-…
  • PDF STB60NF06LT4.pdf
Консультация
STF9NK90Z

STF9NK90Z-ST

Консультация
STD8N60DM2

STD8N60DM2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD8N60DM2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STD8N60DM2封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)85W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@10V,4A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)375pF@100V
  • PDF STD8N60DM2.pdf
Консультация
STB35N65DM2

STB35N65DM2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTB35N65DM2
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STB35N65DM2封装D2PAKFET 类型N 通道技术MOSFET漏源电压（Vdss）650 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A（Tc）驱动电压10V不同 Id、Vgs 时导通电阻110 毫欧 @ 14A，10V不…
  • PDF STB35N65DM2.pdf
Консультация
STP30NF10

STP30NF10-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP30NF10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STP30NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)115W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45Ω@10V,15A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)55nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.18nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP30NF10.pdf
Консультация
STW3N150

STW3N150-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW3N150
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商ST产品分类场效应管(MOSFET)型号STW3N150封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)2.5A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STW3N150.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 108109110111112113114115...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd