О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STD13N60M2

STD13N60M2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD13N60M2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD13N60M2封装DPAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11A功率(Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)580pF@100Vрабочая температура -5…
  • PDF STD13N60M2.pdf
Консультация
STW70N60DM2

STW70N60DM2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW70N60DM2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STW70N60DM2封装TO-247-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)66A功率(Pd)446Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)42mΩ@10V,33Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)121nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.508nF@100V工作…
  • PDF STW70N60DM2.pdf
Консультация
STD10P6F6

STD10P6F6-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD10P6F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD10P6F6封装DPAK类型1个P沟道напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)10A功率(Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.4nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@48V
  • PDF STD10P6F6.pdf
Консультация
STF26NM60N

STF26NM60N-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF26NM60N
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STF26NM60N封装TO-220F类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20A功率(Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STF26NM60N.pdf
Консультация
IRF630

IRF630-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельIRF630
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号IRF630封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)9A功率(Pd)75Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)400mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)700pF@25Vрабочая температура -65℃~+…
  • PDF IRF630.pdf
Консультация
STW9NK90Z

STW9NK90Z-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW9NK90Z
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STW9NK90Z封装TO-247AC-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)8A功率(Pd)160Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STW9NK90Z.pdf
Консультация
STF6N95K5

STF6N95K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF6N95K5
  • КорпусTO-220FPAB-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STF6N95K5封装TO-220FPAB-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)9A功率(Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.25Ω@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)450pF@100Vрабочая температура …
  • PDF STF6N95K5.pdf
Консультация
STW20NM60

STW20NM60-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW20NM60
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STW20NM60封装TO-247-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20A功率(Pd)192Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)290mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
Консультация
STW20NM60

STW20NM60-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW20NM60
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STW20NM60封装TO-247-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20A功率(Pd)192Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)290mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
Консультация
STN1NK60Z

STN1NK60Z-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTN1NK60Z
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STN1NK60Z封装SOT-223类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)300mA功率(Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15Ω@400mA,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)94pF@25Vобратная передача …
  • PDF STN1NK60Z.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 102103104105106107108109...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd