О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE01NP03S

NCE01NP03S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01NP03S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение - ток 3A мощность (Pd)  2W канал N and P сопротивление в открытом состоянии N,130mΩ @ VGS=10V P,200mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01NP03S
  • PDF NCE01NP03S.pdf
Консультация
NCEP0178A

NCEP0178A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0178A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 78A мощность (Pd)  125W канал N сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,39A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0178A
  • PDF NCEP0178A.pdf
Консультация
NCE3406N

NCE3406N-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3406N
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - ток 6A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 50mΩ @ VGS=2.5V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3406N
  • PDF NCE3406N.pdf
Консультация
NCE3065K

NCE3065K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3065K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 65A мощность (Pd)  65W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.7mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3065K
  • PDF NCE3065K.pdf
Консультация
NCEP026N10

NCEP026N10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP026N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 200A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ , typical (TO-220)@VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP026N10
  • PDF NCEP026N10.pdf
Консультация
NCE65TF180T

NCE65TF180T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF180T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180T
  • PDF NCE65TF180T.pdf
Консультация
NCE30D0808J

NCE30D0808J-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30D0808J
  • КорпусDFN-6-EP(2x2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 7.7A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 25mΩ @ VGS=10V корпус DFN-6-EP(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30D0808J
  • PDF NCE30D0808J.pdf
Консультация
NCEP85T14

NCEP85T14-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T14
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение 4V@250uA ток 140A мощность (Pd)  200W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.1mΩ@10V,70A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T14
  • PDF NCEP85T14.pdf
Консультация
NCEP12T12D

NCEP12T12D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP12T12D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 120V пороговое напряжение - ток 129A мощность (Pd)  185W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.3mΩ @ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP12T12D
  • PDF NCEP12T12D.pdf
Консультация
NCEP01T11

NCEP01T11-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01T11
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 108A мощность (Pd)  160W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,50A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T11
  • PDF NCEP01T11.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 8586878889909192...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd