О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE30H11BG

NCE30H11BG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H11BG
  • КорпусFDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  68W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ (typical) @ VGS=10V корпус FDFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H11BG
  • PDF NCE30H11BG.pdf
Консультация
NCE65TF180F

NCE65TF180F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF180F
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение - ток 21 A мощность (Pd)  33.8W канал N сопротивление в открытом состоянии 180 mΩ корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180F
  • PDF NCE65TF180F.pdf
Консультация
NCE8205t

NCE8205t-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8205t
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 700mV@250uA ток 5A мощность (Pd)  1.25W канал 2个N сопротивление в открытом состоянии 16.5mΩ@4.5V,5A корпус SOT-23-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8205t
  • PDF NCE8205t.pdf
Консультация
NCE70T1K2R

NCE70T1K2R-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T1K2R
  • КорпусSOT-223-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 700 V пороговое напряжение - ток 4 A мощность (Pd)  5.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 1100 mΩ корпус SOT-223-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2R
  • PDF NCE70T1K2R.pdf
Консультация
NCE6003

NCE6003-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 2V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 105mΩ@10V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003
  • PDF NCE6003.pdf
Консультация
NCE3025Q

NCE3025Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3025Q
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 25A мощность (Pd)  25W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
Консультация
NCE30H11K

NCE30H11K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H11K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 110A мощность (Pd)  120W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.2mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H11K
  • PDF NCE30H11K.pdf
Консультация
NCEP050N85D

NCEP050N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP050N85D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 85V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP050N85D
  • PDF NCEP050N85D.pdf
Консультация
NCE65TF360F

NCE65TF360F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF360F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  32.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии 290mΩ@10V,7A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF360F
  • PDF NCE65TF360F.pdf
Консультация
NCEP01T18

NCEP01T18-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01T18
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 180A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.0mΩ @ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T18
  • PDF NCEP01T18.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 8485868788899091...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd