О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE3008XM

NCE3008XM-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3008XM
  • КорпусSOT-89-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  3.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии 55mΩ @ VGS=2.5V корпус SOT-89-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3008XM
  • PDF NCE3008XM.pdf
Консультация
NCE8290AC

NCE8290AC-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8290AC
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 82V пороговое напряжение 3V@250uA ток 90A мощность (Pd)  130W канал Nсопротивление в открытом состоянии 9mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8290AC
  • PDF NCE8290AC.pdf
Консультация
NCE6990D

NCE6990D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 69V пороговое напряжение 2.9V@250uA ток 90A мощность (Pd)  160W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.2mΩ@10V,30A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6990D
  • PDF NCE6990D.pdf
Консультация
NCE40H21

NCE40H21-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H21
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 40V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 210A мощность (Pd)  310W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H21
  • PDF NCE40H21.pdf
Консультация
NCE4606A

NCE4606A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4606A
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток N,6.5A-P,-7A мощность (Pd)  2W канал N and P сопротивление в открытом состоянии N,24mΩ @ VGS=10V P,30mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4606A
  • PDF NCE4606A.pdf
Консультация
NCE65T360D

NCE65T360D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T360D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 290mΩ@10V,7A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360D
  • PDF NCE65T360D.pdf
Консультация
NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2K
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 710V пороговое напряжение - ток 45 A мощность (Pd)  400W канал N сопротивление в открытом состоянии 62 mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF078T
  • PDF NCE65T1K2K.pdf
Консультация
NCE3025Q

NCE3025Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3025Q
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 25A мощность (Pd)  25W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3025Q
  • PDF NCE3025Q.pdf
Консультация
NCE55P04S

NCE55P04S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P04S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 55V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 4A мощность (Pd)  3W канал 2个P сопротивление в открытом состоянии 82mΩ@10V,4A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P04S
  • PDF NCE55P04S.pdf
Консультация
NCE30ND07S

NCE30ND07S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30ND07S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 7A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 23mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30ND07S
  • PDF NCE30ND07S.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 8182838485868788...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd