О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE70T360F

NCE70T360F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T360F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 700V пороговое напряжение - ток 11.5A мощность (Pd)  32.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии 330mΩ корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T360F
  • PDF NCE70T360F.pdf
Консультация
NCE82H160

NCE82H160-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE82H160
  • КорпусTO-220-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 82V пороговое напряжение - ток 160A мощность (Pd)  285W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ @ VGS=10V (Typ:3.8mΩ) корпус TO-220-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE82H160
  • PDF NCE82H160.pdf
Консультация
NCE70T180F

NCE70T180F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T180F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 700V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  33.8W канал Nсопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T180F
  • PDF NCE70T180F.pdf
Консультация
NCE0106Z

NCE0106Z-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0106Z
  • КорпусTO-92-2.5mm
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 6A мощность (Pd)  3W канал Nсопротивление в открытом состоянии 110mΩ@10V,5A корпус TO-92-2.5mm MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0106Z
  • PDF NCE0106Z.pdf
Консультация
NCE65T260D

NCE65T260D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение - ток 15A мощность (Pd)  33.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 220 mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T260D
  • PDF NCE65T260D.pdf
Консультация
NCE4801

NCE4801-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4801
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1V@250uA ток 5A мощность (Pd)  2W канал 2个P сопротивление в открытом состоянии 40mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4801
  • PDF NCE4801.pdf
Консультация
NCE60H15A

NCE60H15A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H15A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V пороговое напряжение 3V@250uA ток 150A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,75A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60H15A
  • PDF NCE60H15A.pdf
Консультация
NCEP40T20A

NCEP40T20A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T20A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение - ток 200A мощность (Pd)  270W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T20A
  • PDF NCEP40T20A.pdf
Консультация
NCEP30T12G

NCEP30T12G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP30T12G
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 120A мощность (Pd)  75W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.35mΩ@10V,60A корпус DFN-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP30T12G
  • PDF NCEP30T12G.pdf
Консультация
NCE0224D

NCE0224D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение 3V@250uA ток 24A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 64mΩ@10V,15A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0224D
  • PDF NCE0224D.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 7980818283848586...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd