О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP40T35AVD

NCEP40T35AVD-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T35AVD
  • КорпусTO-263-7L
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 40V пороговое напряжение - ток 350A мощность (Pd)  380W канал Nсопротивление в открытом состоянии 0.68mΩ (typical) @VGS=10V корпус  TO-263-7L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T35AVD
  • PDF NCEP40T35AVD.pdf
Консультация
NCE3050

NCE3050-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3050
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 50A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,25A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3050
  • PDF NCE3050.pdf
Консультация
NCEP060N10

NCEP060N10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP060N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 50A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.6mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP060N10
  • PDF NCEP060N10.pdf
Консультация
NCEP040N85D

NCEP040N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP040N85D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение - ток 140A мощность (Pd)  200W канал Nсопротивление в открытом состоянии 3.3mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP040N85D
  • PDF NCEP040N85D.pdf
Консультация
NCE0224AK

NCE0224AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224AK
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение - ток 24A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 80mΩ @ VGS=10V (Typ:62mΩ) корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0224AK
  • PDF NCE0224AK.pdf
Консультация
NCEP0114AS

NCEP0114AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0114AS
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 14A мощность (Pd)  3.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,14A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0114AS
  • PDF NCEP0114AS.pdf
Консультация
NCE60P20K

NCE60P20K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P20K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 2.8V@250uA ток 20A мощность (Pd)  60W канал P сопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P20K
  • PDF NCE60P20K.pdf
Консультация
NCE65T540D

NCE65T540D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал N сопротивление в открытом состоянии 460mΩ@10V,4A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540D
  • PDF NCE65T540D.pdf
Консультация
NCEP038N10GU

NCEP038N10GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP038N10GU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.45mΩ (Typ.) @ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP038N10GU
  • PDF NCEP038N10GU.pdf
Консультация
NCE60P40F

NCE60P40F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P40F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -60V пороговое напряжение - ток -40A мощность (Pd)  37W канал P сопротивление в открытом состоянии 35mΩ @ VGS=-10V корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P40F
  • PDF NCE60P40F.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 8384858687888990...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd