О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
NCE82H140

NCE82H140-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE82H140
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 82V пороговое напряжение 3V@250uA ток 140A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.3mΩ@10V,20A корпус TO-220-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE82H140
  • PDF NCE82H140.pdf
NCE60NF031T

NCE60NF031T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60NF031T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение - ток 73A мощность (Pd)  490W канал Nсопротивление в открытом состоянии 23 mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60NF031T
  • PDF NCE60NF031T.pdf
NCEP028N85D

NCEP028N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP028N85D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 85V пороговое напряжение 3V@250uA ток 200A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ@10V,100A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP028N85D
  • PDF NCEP028N85D.pdf
NCE30H12

NCE30H12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 120A мощность (Pd)  120W канал Nсопротивление в открытом состоянии 3mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H12
  • PDF NCE30H12.pdf
NCE65T2K4K

NCE65T2K4K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T2K4K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 710V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 2A мощность (Pd)  21W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2Ω@ корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T2K4K
  • PDF NCE65T2K4K.pdf
NCE3009S

NCE3009S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3009S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - ток 9A мощность (Pd)  2.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 9mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3009S
  • PDF NCE3009S.pdf
NCE6050IA

NCE6050IA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6050IA
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 50A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,20A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6050IA
  • PDF NCE6050IA.pdf
NCE01P18D

NCE01P18D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P18D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 18A мощность (Pd)  70W канал P сопротивление в открытом состоянии 85mΩ@10V,16A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P18D
  • PDF NCE01P18D.pdf
NCE0130KA

NCE0130KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0130KA
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 30A мощность (Pd)  85W канал Nсопротивление в открытом состоянии 25mΩ@10V,10A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0130KA
  • PDF NCE0130KA.pdf
NCE6990

NCE6990-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 69V пороговое напряжение 4V@250uA ток 90A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,30A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6990
  • PDF NCE6990.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 7879808182838485...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd