О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE82H140

NCE82H140-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE82H140
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 82V пороговое напряжение 3V@250uA ток 140A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.3mΩ@10V,20A корпус TO-220-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE82H140
  • PDF NCE82H140.pdf
Консультация
NCE60NF031T

NCE60NF031T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60NF031T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение - ток 73A мощность (Pd)  490W канал Nсопротивление в открытом состоянии 23 mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60NF031T
  • PDF NCE60NF031T.pdf
Консультация
NCEP028N85D

NCEP028N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP028N85D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 85V пороговое напряжение 3V@250uA ток 200A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ@10V,100A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP028N85D
  • PDF NCEP028N85D.pdf
Консультация
NCE30H12

NCE30H12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 120A мощность (Pd)  120W канал Nсопротивление в открытом состоянии 3mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H12
  • PDF NCE30H12.pdf
Консультация
NCE65T2K4K

NCE65T2K4K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T2K4K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 710V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 2A мощность (Pd)  21W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2Ω@ корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T2K4K
  • PDF NCE65T2K4K.pdf
Консультация
NCE3009S

NCE3009S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3009S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - ток 9A мощность (Pd)  2.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 9mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3009S
  • PDF NCE3009S.pdf
Консультация
NCE6050IA

NCE6050IA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6050IA
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 50A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,20A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6050IA
  • PDF NCE6050IA.pdf
Консультация
NCE01P18D

NCE01P18D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P18D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 18A мощность (Pd)  70W канал P сопротивление в открытом состоянии 85mΩ@10V,16A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P18D
  • PDF NCE01P18D.pdf
Консультация
NCE0130KA

NCE0130KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0130KA
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 30A мощность (Pd)  85W канал Nсопротивление в открытом состоянии 25mΩ@10V,10A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0130KA
  • PDF NCE0130KA.pdf
Консультация
NCE6990

NCE6990-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 69V пороговое напряжение 4V@250uA ток 90A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,30A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6990
  • PDF NCE6990.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 7879808182838485...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd