О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP01T13AD

NCEP01T13AD-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01T13AD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 135A мощность (Pd)  210W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.6mΩ@10V,60A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T13AD
  • PDF NCEP01T13AD.pdf
Консультация
NCE70T260F

NCE70T260F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T260F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 15A мощность (Pd)  33.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T260F
  • PDF NCE70T260F.pdf
Консультация
NCE30NP1812K

NCE30NP1812K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30NP1812K
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток N,18A-P,-12A мощность (Pd)  25W канал 1个N和1个P сопротивление в открытом состоянии 36mΩ@10V,10A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30NP1812K
  • PDF NCE30NP1812K.pdf
Консультация
NCEP85T25D

NCEP85T25D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T25D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 250A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.6mΩ@10V,100A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T25D
  • PDF NCEP85T25D.pdf
Консультация
NCEP023N10D

NCEP023N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP023N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 240A мощность (Pd)  340W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.9mΩ@10V,120A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP023N10D
  • PDF NCEP023N10D.pdf
Консультация
NCEP0178AF

NCEP0178AF-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0178AF
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 78A мощность (Pd)  50W канал Nсопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,39A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0178AF
  • PDF NCEP0178AF.pdf
Консультация
NCE30P30G

NCE30P30G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P30G
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 30A мощность (Pd)  80W канал P сопротивление в открытом состоянии 7.4mΩ@10V,15A корпус DFN-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P30G
  • PDF NCE30P30G.pdf
Консультация
NCEP40T15GU

NCEP40T15GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T15GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 40V пороговое напряжение - ток 150A мощность (Pd)  80W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.09mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T15GU
  • PDF NCEP40T15GU.pdf
Консультация
NCEP12T12

NCEP12T12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP12T12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 120V пороговое напряжение 3.3V@250uA ток 129A мощность (Pd)  185W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.8mΩ@10V,60A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP12T12
  • PDF NCEP12T12.pdf
Консультация
NCE01P30

NCE01P30-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P30
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 -100V пороговое напряжение - ток -30A мощность (Pd)  185W канал P сопротивление в открытом состоянии 58mΩ @ VGS=-10V (Typ:50mΩ) корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P30
  • PDF NCE01P30.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 7778798081828384...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd