О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
UTT18P10L-TN3-R

UTT18P10L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUTT18P10L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 18A мощность (Pd) 150W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 200mΩ@10V,18A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTT18P10L-TN3-R 系列 UTT18P10
  • PDF UTT18P10L-TN3-R.pdf
4N80L-TN3-R

4N80L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N80L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N80L-TN3-R 系列 4N80L
  • PDF 4N80L-TN3-R.pdf
4N80L-FC

4N80L-FC-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N80L-FC
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N80L-FC 系列 4N80L
  • PDF 4N80L-FC.pdf
4N80L-TM3-T

4N80L-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N80L-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N80L-TM3-T 系列 4N80L
  • PDF 4N80L-TM3-T.pdf
12P10L-TN3-R

12P10L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель12P10L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 9.4A мощность (Pd) 50W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 290mΩ@10V,4.7A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12P10L-TN3-R 系列 12P10L
  • PDF 12P10L-TN3-R.pdf
UT2955G-AA3-R

UT2955G-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2955G-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@1mA ток 1.7A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,1.5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2955G-AA3-R 系列 UT2955
  • PDF UT2955G-AA3-R.pdf
UF07P15G-AE3-R

UF07P15G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF07P15G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 600mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.1Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF07P15G-AE3-R 系列 UF07P15
  • PDF UF07P15G-AE3-R.pdf
2P50G-TN3-R

2P50G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2P50G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 41W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5Ω@10V,1A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2P50G-TN3-R 系列 2P50G
  • PDF 2P50G-TN3-R.pdf
UF640L-TN3-R

UF640L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF640L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 18A мощность (Pd) 83W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF640L-TN3-R 系列 UF640L
  • PDF UF640L-TN3-R.pdf
UF640L-TA3-T

UF640L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF640L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 18A мощность (Pd) 123W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF640L-TA3-T 系列 UF640L
  • PDF UF640L-TA3-T.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая123456...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd