О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
MEM4N60A3G

MEM4N60A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM4N60A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) RDS(ON)=2.3Ω@VGS=10V ток 4A мощность (Pd) 33W канал N栅极пороговое напряжение 4.0V корпус "TO-220F" MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM4N60A3G 系列 MEM4N60
  • PDF MEM4N60A3G.pdf
Консультация
MEM12N65A3G

MEM12N65A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM12N65A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) RDS(ON)=0.64Ω@VGS=10V ток 12A мощность (Pd) 51W канал N栅极пороговое напряжение 4.0V корпус "TO-220F" MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM12N65A3G 系列 MEM12N65
  • PDF MEM12N65A3G.pdf
Консультация
MEM2313SG

MEM2313SG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2313SG
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2313SG 系列 MEM2313
  • PDF MEM2313SG.pdf
Консультация
MEM2N60A3G

MEM2N60A3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2N60A3G
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 600V напряжение (Vgs(th)@Id) TO-220F ток 2A мощность (Pd) 41W канал N栅极пороговое напряжение VGS(th) 4.0V корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2N60A3G 系列 MEM2N60
  • PDF MEM2N60A3G.pdf
Консультация
MEM2306SG

MEM2306SG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2306SG
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.3W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@4.5V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2306SG 系列 MEM2306
  • PDF MEM2306SG.pdf
Консультация
UT3N06G-AB3-R

UT3N06G-AB3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3N06G-AB3-R
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 0.69 W канал N栅源напряжение  VGss ±20 V корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC  UT3N06G-AB3-R 系列  UT3N06
  • PDF UT3N06G-AB3-R.pdf
Консультация
UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3N06G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 0.35 W канал N栅源напряжение  VGss ±20 V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3N06G-AE3-R 系列  UT3N06
  • PDF UT3N06G-AE3-R.pdf
Консультация
UT2302G-AE2-R

UT2302G-AE2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2302G-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 1.25W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 95mΩ@2.5V,3.1A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2302G-AE2-R 系列 UT2302
  • PDF UT2302G-AE2-R.pdf
Консультация
UT2302G-AE3-R

UT2302G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2302G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 1.25W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,7.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2302G-AE3-R 系列 UT2302
  • PDF UT2302G-AE3-R.pdf
Консультация
UT4421G-SO8-R

UT4421G-SO8-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT4421G-SO8-R
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,6.2A корпус  SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT4421G-SO8-R 系列 UT4421
  • PDF UT4421G-SO8-R.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая12345...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd