关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6898LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 9.5A 功率(Pd) 1.28W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@9.4A,4.5V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6898LSD-13 系列 DMG6898LSD
  • PDF DMG6898LSD-13.pdf
在线咨询
DMC67D8UFDBQ-7

DMC67D8UFDBQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC67D8UFDBQ-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V；20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA；2.5V@250uA 电流 390mA；2.9A 功率(Pd) 580mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@500mA,10V；72mΩ@3.5A,4.5V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC67D8UFDBQ-7 系列 DMC67D8UFDBQ
  • PDF DMC67D8UFDBQ-7.pdf
在线咨询
DMN3028LQ-7

DMN3028LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3028LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 860mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3028LQ-7 系列 DMN3028LQ
  • PDF DMN3028LQ-7.pdf
在线咨询
DMP2240UW-7

DMP2240UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2240UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 250mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2240UW-7 系列 DMP2240UW
  • PDF DMP2240UW-7.pdf
在线咨询
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8LW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8LW-7 系列 DMN65D8LW
  • PDF DMN65D8LW-7.pdf
在线咨询
BS107P

BS107P-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS107P
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 200V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 120mA 功率(Pd) 500mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30Ω@5V,100mA 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS107P 系列 BS107P
  • PDF BS107P.pdf
在线咨询
DMN100-7-F

DMN100-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN100-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 1.1A 功率(Pd) 500mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 240mΩ@10V,1A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN100-7-F 系列 DMN100
  • PDF DMN100-7-F.pdf
在线咨询
DMP2100U-7

DMP2100U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2100U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@10V,3.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2100U-7 系列 DMP2100U
  • PDF DMP2100U-7.pdf
在线咨询
DMC2020USD-13

DMC2020USD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2020USD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 7.8A；6.3A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@7A,4.5V 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2020USD-13 系列 DMC2020USD
  • PDF DMC2020USD-13.pdf
在线咨询
ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A18KTC
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 2.15W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@10V,3.5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A18KTC 系列 ZXMP6A18KTC
  • PDF ZXMP6A18KTC.pdf
在线咨询
共1180记录«上一页1... 4647484950515253...118下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号