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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMHC4035LSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.5A；3.7A 功率(Pd) 1.5W 沟道 2个N和2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V；65mΩ@4.2A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMHC4035LSDQ-13 系列 DMHC4035LSDQ
  • PDF DMHC4035LSDQ-13.pdf
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DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6005LK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd) 2.1W；100W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.6mΩ@10V,50A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6005LK3Q-13 系列 DMTH6005LK3Q
  • PDF DMTH6005LK3Q-13.pdf
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DMC3028LSD-13

DMC3028LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3028LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 6.6A；6.8A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@6A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3028LSD-13 系列 DMC3028LSD
  • PDF DMC3028LSD-13.pdf
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DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG4496SSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 1.42W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 21.5mΩ@10V,10A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG4496SSS-13 系列 DMG4496SSS
  • PDF DMG4496SSS-13.pdf
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DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT69M8LFV-7
  • 封装规格PDFN-8(3.3x3.3)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 36A;45A 功率(Pd) 2.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9.5mΩ @ VGS = 10V 13.3mΩ @ VGS = 4.5V 封装 PDFN-8(3.3x3.3) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT69M8LFV-7 系列 DMT69M8LFV
  • PDF DMT69M8LFV-7.pdf
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BSS138DWQ-7

BSS138DWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138DWQ-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@220mA,10V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138DWQ-7 系列 BSS138DWQ
  • PDF BSS138DWQ-7.pdf
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DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3085LSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@5.3A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3085LSS-13 系列 DMP3085LSS
  • PDF DMP3085LSS-13.pdf
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DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H400SEQ-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.3A；6A 功率(Pd) 2W；13.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@5A,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H400SEQ-13 系列 DMP10H400SEQ
  • PDF DMP10H400SEQ-13.pdf
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DMP31D7L-7

DMP31D7L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP31D7L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.6V@250uA 电流 580mA 功率(Pd) 430mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@420mA,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP31D7L-7 系列 DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-7.pdf
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DMP6023LFG-13

DMP6023LFG-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6023LFG-13
  • 封装规格PowerDI-3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.7A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V 封装 PowerDI-3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6023LFG-13 系列 DMP6023LFG
  • PDF DMP6023LFG-13.pdf
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