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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMP32D4S-13

DMP32D4S-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP32D4S-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 370mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.4Ω@10V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP32D4S-13 系列 DMP32D4S
  • PDF DMP32D4S-13.pdf
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DMP2305UQ-7

DMP2305UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2305UQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@4.2A,4.5V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2305UQ-7 系列 DMP2305UQ
  • PDF DMP2305UQ-7.pdf
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ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMC10A816N8TC
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 230mΩ@10V,1A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMC10A816N8TC 系列 ZXMC10A816N8TC
  • PDF ZXMC10A816N8TC.pdf
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DMN6075SQ-7

DMN6075SQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6075SQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@3.2A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6075SQ-7 系列 DMN6075SQ
  • PDF DMN6075SQ-7.pdf
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DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6005LPS-13
  • 封装规格DFN-8(5.1x6)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 100A 功率(Pd) 2.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.5mΩ @ VGS = 4.5V 封装 DFN-8(5.1x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6005LPS-13 系列 DMT6005LPS
  • PDF DMT6005LPS-13.pdf
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ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN7A11GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 70V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.7A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 130mΩ@10V,4.4A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN7A11GTA 系列 ZXMN7A11GTA
  • PDF ZXMN7A11GTA.pdf
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DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004DMK-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 540mA 功率(Pd) 225mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004DMK-7 系列 DMN2004DMK
  • PDF DMN2004DMK-7.pdf
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DMP31D7L-13

DMP31D7L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP31D7L-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.6V@250uA 电流 580mA 功率(Pd) 430mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP31D7L-13 系列 DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-13.pdf
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ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN3A01FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.8A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN3A01FTA 系列 ZXMN3A01FTA
  • PDF ZXMN3A01FTA.pdf
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DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3018SSD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述生产商 DIODES(美台)产品分类 场效应管(MOSFET)系列 DMN3018SSD安装类型 SMT封装/外壳 SOIC-8阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA电流 6.7A功率(Pd) 1.5W耐压 30V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A沟道 2个N
  • PDF DMN3018SSD-13.pdf
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