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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN6040SE-13

DMN6040SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@12A,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SE-13 系列 DMN6040SE
  • PDF DMN6040SE-13.pdf
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ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMC3A16DN8TA
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.9A；4.1A 功率(Pd) 1.25W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@9A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMC3A16DN8TA 系列 ZXMC3A16DN8TA
  • PDF ZXMC3A16DN8TA.pdf
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DMP3130LQ-7

DMP3130LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3130LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 77mΩ@4.2A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3130LQ-7 系列 DMP3130LQ
  • PDF DMP3130LQ-7.pdf
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DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN61D9UWQ-7
  • 封装规格SOD-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 400mA 功率(Pd) 440mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@50mA,5V 封装 SOD-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN61D9UWQ-7 系列 DMN61D9UWQ
  • PDF DMN61D9UWQ-7.pdf
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2N7002VC-7

2N7002VC-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002VC-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 280mA 功率(Pd) 150mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002VC-7 系列 2N7002VC
  • PDF 2N7002VC-7.pdf
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DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2160UFDBQ-7
  • 封装规格DFN-6-EP(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 -20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 -3.8A -3.3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ @ VGS = -4.5V 85mΩ @ VGS = -2.5V 封装 DFN-6-EP(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160UFDBQ-7 系列 DMP2160UFDBQ
  • PDF DMP2160UFDBQ-7.pdf
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DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SVTQ-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SVTQ-7 系列 DMN6040SVTQ
  • PDF DMN6040SVTQ-7.pdf
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DMP2008UFG-7

DMP2008UFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2008UFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 14A；54A 功率(Pd) 2.4W；41W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8mΩ@4.5V,12A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2008UFG-7 系列 DMP2008UFG
  • PDF DMP2008UFG-7.pdf
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DMC2041UFDB-7

DMC2041UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2041UFDB-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 4.7A；3.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@4.2A,4.5V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2041UFDB-7 系列 DMC2041UFDB
  • PDF DMC2041UFDB-7.pdf
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ZVP2106GTA

ZVP2106GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP2106GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 450mA 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP2106GTA 系列 ZVP2106GTA
  • PDF ZVP2106GTA.pdf
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