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DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2160UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6B
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,2.8A 封装 U-DFN2020-6B 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160UFDB-7 系列 DMP2160UFDB
  • PDF DMP2160UFDB-7.pdf
DMC2450UV-7

DMC2450UV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2450UV-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 1.03A;700mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 480mΩ@200mA,5V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2450UV-7 系列 DMC2450UV
  • PDF DMC2450UV-7.pdf
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2002UPS-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 60A 功率(Pd) 2.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.9mΩ@10V,25A 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2002UPS-13 系列 DMP2002UPS
  • PDF DMP2002UPS-13.pdf
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A13GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.7A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 390mΩ@900mA,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A13GTA 系列 ZXMP6A13GTA
  • PDF ZXMP6A13GTA.pdf
DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6050SPD-13
  • 封装规格PowerDI-8(5x6)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 -60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 -26A -23A 功率(Pd) 1.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48m @ VGS = -10V 60m @ VGS = -4.5V 封装 PowerDI-8(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6050SPD-13 系列 DMPH6050SPD
  • PDF DMPH6050SPD-13.pdf
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN7022LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 75V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.8A 功率(Pd) 900mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 22mΩ@10V,7.2A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN7022LFG-7 系列 DMN7022LFG
  • PDF DMN7022LFG-7.pdf
ZVNL120A

ZVNL120A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVNL120A
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 200V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,250mA 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVNL120A 系列 ZVNL120A
  • PDF ZVNL120A.pdf
DMG9926USD-13

DMG9926USD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG9926USD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 8A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG9926USD-13 系列 DMG9926USD
  • PDF DMG9926USD-13.pdf
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN65D8LFB-7B
  • 封装规格X1-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 260mA 功率(Pd) 430mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 X1-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8LFB-7B 系列 DMN65D8LFB
  • PDF DMN65D8LFB-7B.pdf
DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3071LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 3.3A;4.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@3.5A,10V;95mΩ@3.8A,10V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3071LVT-7 系列 DMC3071LVT
  • PDF DMC3071LVT-7.pdf
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