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场效应管(MOSFET)
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DMP2160UFDB-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMP2160UFDB-7
封装规格
U-DFN2020-6B
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,2.8A 封装 U-DFN2020-6B 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160UFDB-7 系列 DMP2160UFDB
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DMP2160UFDB-7.pdf
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DMC2450UV-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMC2450UV-7
封装规格
SOT-563
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 1.03A;700mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 480mΩ@200mA,5V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2450UV-7 系列 DMC2450UV
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DMC2450UV-7.pdf
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DMP2002UPS-13-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMP2002UPS-13
封装规格
PowerDI5060-8
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 60A 功率(Pd) 2.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.9mΩ@10V,25A 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2002UPS-13 系列 DMP2002UPS
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DMP2002UPS-13.pdf
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ZXMP6A13GTA-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
ZXMP6A13GTA
封装规格
SOT-223
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.7A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 390mΩ@900mA,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A13GTA 系列 ZXMP6A13GTA
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DMPH6050SPD-13-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMPH6050SPD-13
封装规格
PowerDI-8(5x6)
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 -60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 -26A -23A 功率(Pd) 1.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48m @ VGS = -10V 60m @ VGS = -4.5V 封装 PowerDI-8(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6050SPD-13 系列 DMPH6050SPD
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DMN7022LFG-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMN7022LFG-7
封装规格
PowerDI3333-8
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 75V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.8A 功率(Pd) 900mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 22mΩ@10V,7.2A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN7022LFG-7 系列 DMN7022LFG
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DMN7022LFG-7.pdf
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ZVNL120A-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
ZVNL120A
封装规格
TO-92-3
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 200V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,250mA 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVNL120A 系列 ZVNL120A
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DMG9926USD-13-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMG9926USD-13
封装规格
SOIC-8
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 8A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG9926USD-13 系列 DMG9926USD
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DMN65D8LFB-7B-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMN65D8LFB-7B
封装规格
X1-DFN1006-3
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 260mA 功率(Pd) 430mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA 封装 X1-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN65D8LFB-7B 系列 DMN65D8LFB
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DMN65D8LFB-7B.pdf
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DMC3071LVT-7-DIODES(美台)
产品类型
场效应管(MOSFET)
型号
DMC3071LVT-7
封装规格
SOT-26
品牌
DIODES(美台)
描述
耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 3.3A;4.6A 功率(Pd) 700mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@3.5A,10V;95mΩ@3.8A,10V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3071LVT-7 系列 DMC3071LVT
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