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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3050LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 4.5A 功率(Pd) 1.8W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3050LVT-7 系列 DMP3050LVT
  • PDF DMP3050LVT-7.pdf
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DMP2075UFDB-7

DMP2075UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2075UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 700mW 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 75mΩ@2.9A,4.5V 封装 U-DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2075UFDB-7 系列 DMP2075UFDB
  • PDF DMP2075UFDB-7.pdf
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DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6023SK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 35A 功率(Pd) 3.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 33mΩ@10A,10V 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6023SK3Q-13 系列 DMPH6023SK3Q
  • PDF DMPH6023SK3Q-13.pdf
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DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH8012LPSW-13
  • 封装规格DFN-8(4.9x5.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 80V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 53.7A 功率(Pd) 3.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@10V,12A 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH8012LPSW-13 系列 DMTH8012LPSW
  • PDF DMTH8012LPSW-13.pdf
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DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2016UTS-13
  • 封装规格TSSOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 8.58A 功率(Pd) 880mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14.5mΩ@4.5V,9.4A 封装 TSSOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2016UTS-13 系列 DMN2016UTS
  • PDF DMN2016UTS-13.pdf
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DMP2070UQ-7

DMP2070UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2070UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 830mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 44mΩ@2A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2070UQ-7 系列 DMP2070UQ
  • PDF DMP2070UQ-7.pdf
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DMP31D0U-7

DMP31D0U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP31D0U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V@250uA 电流 530mA 功率(Pd) 450mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@400mA,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP31D0U-7 系列 DMP31D0U
  • PDF DMP31D0U-7.pdf
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ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP3A17E6TA
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.2A 功率(Pd) 1.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP3A17E6TA 系列 ZXMP3A17E6TA
  • PDF ZXMP3A17E6TA.pdf
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DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2400UFB4-7
  • 封装规格X2-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 750mA 功率(Pd) 470mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,600mA 封装 X2-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2400UFB4-7 系列 DMN2400UFB4
  • PDF DMN2400UFB4-7.pdf
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DMTH6016LFVWQ-7

DMTH6016LFVWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6016LFVWQ-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 41A 功率(Pd) 1.17W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@20A,10V 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6016LFVWQ-7 系列 DMTH6016LFVWQ
  • PDF DMTH6016LFVWQ-7.pdf
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