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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004DWK-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 540mA 功率(Pd) 200mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004DWK-7 系列 DMN2004DWK
  • PDF DMN2004DWK-7.pdf
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DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0UDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 350mA 功率(Pd) 320mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0UDW-7 系列 DMN62D0UDW
  • PDF DMN62D0UDW-7.pdf
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DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6040SSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6040SSDQ-13 系列 DMN6040SSDQ
  • PDF DMN6040SSDQ-13.pdf
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2N7002AQ-7

2N7002AQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002AQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 180mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,115mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002AQ-7 系列 2N7002AQ
  • PDF 2N7002AQ-7.pdf
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ZXM61N03F

ZXM61N03F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61N03F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 1.4A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61N03F 系列 ZXM61N03F
  • PDF ZXM61N03F.pdf
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DMC2053UVTQ-7

DMC2053UVTQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2053UVTQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.6A；3.2A 功率(Pd) 700mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5V；74mΩ@3.5A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2053UVTQ-7 系列 DMC2053UVTQ
  • PDF DMC2053UVTQ-7.pdf
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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN61D8LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 470mA 功率(Pd) 390mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.8Ω@150mA,5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN61D8LQ-7 系列 DMN61D8LQ
  • PDF DMN61D8LQ-7.pdf
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BSS127SSN-7

BSS127SSN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS127SSN-7
  • 封装规格SC-59
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 600V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4.5V@250uA 电流 70mA 功率(Pd) 610mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80Ω@10V,16mA 封装 SC-59 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS127SSN-7 系列 BSS127SSN
  • PDF BSS127SSN-7.pdf
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DMP3007SCGQ-7

DMP3007SCGQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3007SCGQ-7
  • 封装规格V-DFN3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 50A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.8mΩ@11.5A,10V 封装 V-DFN3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3007SCGQ-7 系列 DMP3007SCGQ
  • PDF DMP3007SCGQ-7.pdf
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DMP2004WK-7

DMP2004WK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2004WK-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 400mA 功率(Pd) 250mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@430mA,4.5V 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2004WK-7 系列 DMP2004WK
  • PDF DMP2004WK-7.pdf
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