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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3033LSN-7
  • 封装规格SC-59
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@10V,6A 封装 SC-59 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3033LSN-7 系列 DMN3033LSN
  • PDF DMN3033LSN-7.pdf
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DMC3730UFL3-7

DMC3730UFL3-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3730UFL3-7
  • 封装规格X2-DFN1310-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.1A；700mA 功率(Pd) 390mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V 封装 X2-DFN1310-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3730UFL3-7 系列 DMC3730UFL3
  • PDF DMC3730UFL3-7.pdf
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ZVN4310GTA

ZVN4310GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4310GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 1.67A 功率(Pd) 3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 540mΩ@10V,3.3A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4310GTA 系列 ZVN4310GTA
  • PDF ZVN4310GTA.pdf
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DMN601VK-7

DMN601VK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601VK-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 305mA 功率(Pd) 250mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601VK-7 系列 DMN601VK
  • PDF DMN601VK-7.pdf
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DMN2075U-7

DMN2075U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2075U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2075U-7 系列 DMN2075U
  • PDF DMN2075U-7.pdf
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DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN26D0UDJ-7
  • 封装规格SOT-963-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.05V@250uA 电流 240mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA 封装 SOT-963-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN26D0UDJ-7 系列 DMN26D0UDJ
  • PDF DMN26D0UDJ-7.pdf
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DMP2130LDM-7

DMP2130LDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2130LDM-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 3.4A 功率(Pd) 1.25W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,4.5A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2130LDM-7 系列 DMP2130LDM
  • PDF DMP2130LDM-7.pdf
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DMP2225L-7

DMP2225L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2225L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 2.6A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2225L-7 系列 DMP2225L
  • PDF DMP2225L-7.pdf
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DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH10H1M7STLW-13
  • 封装规格PowerDI1012-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 250A 功率(Pd) 6W；250W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2mΩ 封装 PowerDI1012-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH10H1M7STLW-13 系列 DMTH10H1M7STLW
  • PDF DMTH10H1M7STLW-13.pdf
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DMT3020LSDQ-13

DMT3020LSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT3020LSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 16A 功率(Pd) 1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@9A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT3020LSDQ-13 系列 DMT3020LSDQ
  • PDF DMT3020LSDQ-13.pdf
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