关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMP6250SE-13

DMP6250SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6250SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.1A 功率(Pd) 1.8W；14W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V,1A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6250SE-13 系列 DMP6250SE
  • PDF DMP6250SE-13.pdf
在线咨询
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT10H015LSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@250uA 电流 8.3A 功率(Pd) 1.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,20A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT10H015LSS-13 系列 DMT10H015LSS
  • PDF DMT10H015LSS-13.pdf
在线咨询
DMP3098LSS-13

DMP3098LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3098LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 5.3A 功率(Pd) 2.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@10V,5.3A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3098LSS-13 系列 DMP3098LSS
  • PDF DMP3098LSS-13.pdf
在线咨询
DMN3731UFB4-7B

DMN3731UFB4-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3731UFB4-7B
  • 封装规格X2-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.2A 功率(Pd) 520mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V 封装 X2-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3731UFB4-7B 系列 DMN3731UFB4
  • PDF DMN3731UFB4-7B.pdf
在线咨询
DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH4007LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 15.5A；100A 功率(Pd) 150W；2.7W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH4007LPSQ-13 系列 DMTH4007LPSQ
  • PDF DMTH4007LPSQ-13.pdf
在线咨询
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0LFD-7
  • 封装规格X1-DFN1212-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 310mA 功率(Pd) 480mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA 封装 X1-DFN1212-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0LFD-7 系列 DMN62D0LFD
  • PDF DMN62D0LFD-7.pdf
在线咨询
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH8012LPSQ-13
  • 封装规格TDFN-8-Power
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 80V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 72A；10A 功率(Pd) 136W；2.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@12A,10V 封装 TDFN-8-Power 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH8012LPSQ-13 系列 DMTH8012LPSQ
  • PDF DMTH8012LPSQ-13.pdf
在线咨询
DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3021LSD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 8.5A；7A 功率(Pd) 2.5W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 21mΩ@7A,10V 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3021LSD-13 系列 DMC3021LSD
  • PDF DMC3021LSD-13.pdf
在线咨询
VN10LFTA

VN10LFTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号VN10LFTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 150mA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) VN10LFTA 系列 VN10LFTA
  • PDF VN10LFTA.pdf
在线咨询
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN10A08GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN10A08GTA 系列 ZXMN10A08GTA
  • PDF ZXMN10A08GTA.pdf
在线咨询
共1180记录«上一页1... 4142434445464748...118下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号