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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMPH4013SK3-13

DMPH4013SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH4013SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 55A 功率(Pd) 2.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 15mΩ@10A,10V 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH4013SK3-13 系列 DMPH4013SK3
  • PDF DMPH4013SK3-13.pdf
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DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6050SSDQ-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5.2A 功率(Pd) 2W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 48mΩ@5A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6050SSDQ-13 系列 DMPH6050SSDQ
  • PDF DMPH6050SSDQ-13.pdf
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DMN2053U-7

DMN2053U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2053U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2053U-7 系列 DMN2053U
  • PDF DMN2053U-7.pdf
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ZVN4206A

ZVN4206A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4206A
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 600mA 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4206A 系列 ZVN4206A
  • PDF ZVN4206A.pdf
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DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004WKQ-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 540mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004WKQ-7 系列 DMN2004WKQ
  • PDF DMN2004WKQ-7.pdf
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DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP45H150DHE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 450V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 13.9W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150Ω@50mA,10V 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP45H150DHE-13 系列 DMP45H150DHE
  • PDF DMP45H150DHE-13.pdf
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ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN6A11ZTA
  • 封装规格SOT-89-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.7A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A 封装 SOT-89-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN6A11ZTA 系列 ZXMN6A11ZTA
  • PDF ZXMN6A11ZTA.pdf
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DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0LW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@100uA 电流 360mA 功率(Pd) 320mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,270mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0LW-7 系列 DMN53D0LW
  • PDF DMN53D0LW-7.pdf
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DMN2024U-7

DMN2024U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2024U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 800mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@6.5A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2024U-7 系列 DMN2024U
  • PDF DMN2024U-7.pdf
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DMN10H700S-7

DMN10H700S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H700S-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 700mA 功率(Pd) 400mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 700mΩ@1.5A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H700S-7 系列 DMN10H700S
  • PDF DMN10H700S-7.pdf
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