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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A17GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 1.7A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@10V,2.4A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A17GTA 系列 ZXMP10A17GTA
  • PDF ZXMP10A17GTA.pdf
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DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC4040SSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 1.8W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC4040SSD-13 系列 DMC4040SSD
  • PDF DMC4040SSD-13.pdf
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ZVN4424GTA

ZVN4424GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4424GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述生产商 DIODES(美台)产品分类 场效应管(MOSFET)系列 ZVN4424GTA安装类型 SMT封装/外壳 SOT-223阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@1mA电流 500mA功率(Pd) 2.5W耐压 240V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5.5Ω@10V,500mA沟道 N
  • PDF ZVN4424GTA.pdf
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DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2990UFA-7B
  • 封装规格XFDFN-3(0.6x0.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 510mA 功率(Pd) 400mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA 封装 XFDFN-3(0.6x0.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2990UFA-7B 系列 DMN2990UFA
  • PDF DMN2990UFA-7B.pdf
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DMP2004VK-7

DMP2004VK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2004VK-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 530mA 功率(Pd) 400mW 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2004VK-7 系列 DMP2004VK
  • PDF DMP2004VK-7.pdf
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DMP2130L-7

DMP2130L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2130L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.25V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 51mΩ@4.5V,3.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2130L-7 系列 DMP2130L
  • PDF DMP2130L-7.pdf
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DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6010LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 13A；30A 功率(Pd) 2.2W；41W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6010LFG-7 系列 DMT6010LFG
  • PDF DMT6010LFG-7.pdf
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DMP3130L-7

DMP3130L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3130L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 77mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3130L-7 系列 DMP3130L
  • PDF DMP3130L-7.pdf
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DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3032LFDB-7
  • 封装规格DMN3032LFDB-7
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A 封装 DMN3032LFDB-7 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3032LFDB-7 系列 DMN3032LFDB
  • PDF DMN3032LFDB-7.pdf
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ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN6A08E6TA
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 1.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@10V,4.8A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN6A08E6TA 系列 ZXMN6A08E6TA
  • PDF ZXMN6A08E6TA.pdf
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