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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN3016lSS-13

DMN3016lSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3016lSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 10.3A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@10V,12A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3016lSS-13 系列 DMN3016lSS
  • PDF DMN3016lSS-13.pdf
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DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3414UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 780mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3414UQ-7 系列 DMG3414UQ
  • PDF DMG3414UQ-7.pdf
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DMN3404LQ-7

DMN3404LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3404LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 720mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@5.8A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3404LQ-7 系列 DMN3404LQ
  • PDF DMN3404LQ-7.pdf
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DMP3028LFDE-7

DMP3028LFDE-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3028LFDE-7
  • 封装规格UDFN2020-6-EP
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 UDFN2020-6-EP 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3028LFDE-7 系列 DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-7.pdf
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DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1009UFDF-7
  • 封装规格UDFN2020-6-EP
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 15A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@4.5V,5A 封装 UDFN2020-6-EP 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1009UFDF-7 系列 DMP1009UFDF
  • PDF DMP1009UFDF-7.pdf
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DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6009LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 11A；34A 功率(Pd) 2.08W；19.2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10mΩ@10V,13.5A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6009LFG-7 系列 DMT6009LFG
  • PDF DMT6009LFG-7.pdf
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DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT10H010LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 68.8A 功率(Pd) 3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.8mΩ@10V,13A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT10H010LK3-13 系列 DMT10H010LK3
  • PDF DMT10H010LK3-13.pdf
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DMP6350SQ-7

DMP6350SQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6350SQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 720mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@900mA,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6350SQ-7 系列 DMP6350SQ
  • PDF DMP6350SQ-7.pdf
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DMP2104LP-7

DMP2104LP-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2104LP-7
  • 封装规格X1-DFN1411-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 500mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,900mA 封装 X1-DFN1411-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2104LP-7 系列 DMP2104LP
  • PDF DMP2104LP-7.pdf
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DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D1SFB-7B
  • 封装规格X1-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.3V@250uA 电流 410mA 功率(Pd) 470mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.4Ω@40mA,10V 封装 X1-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D1SFB-7B 系列 DMN62D1SFB
  • PDF DMN62D1SFB-7B.pdf
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