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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN1029UFDB-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.6A 功率(Pd) 1.4W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@5A,4.5V 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN1029UFDB-7 系列 DMN1029UFDB
  • PDF DMN1029UFDB-7.pdf
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ZXMN4A06GTA

ZXMN4A06GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN4A06GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN4A06GTA 系列 ZXMN4A06GTA
  • PDF ZXMN4A06GTA.pdf
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DMP26M7UFG-7

DMP26M7UFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP26M7UFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 18A；40A 功率(Pd) 2.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6.7mΩ@4.5V,15A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP26M7UFG-7 系列 DMP26M7UFG
  • PDF DMP26M7UFG-7.pdf
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2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002DWQ-7-F
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 230mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002DWQ-7-F 系列 2N7002DWQ
  • PDF 2N7002DWQ-7-F.pdf
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DMG3406L-7

DMG3406L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3406L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 3.6A 功率(Pd) 770mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3406L-7 系列 DMG3406L
  • PDF DMG3406L-7.pdf
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DMTH4008LPSQ-13

DMTH4008LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH4008LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 14.4A；64.8A 功率(Pd) 2.99W；55.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.8mΩ@10A,10V 封装 PowerDI-5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH4008LPSQ-13 系列 DMTH4008LPSQ
  • PDF DMTH4008LPSQ-13.pdf
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DMP3056LSS-13

DMP3056LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3056LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 7.1A 功率(Pd) 2.5W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3056LSS-13 系列 DMP3056LSS
  • PDF DMP3056LSS-13.pdf
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DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2005UFG-13
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 18.1A 功率(Pd) 1.05W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.6mΩ@4.5V,13.5A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2005UFG-13 系列 DMN2005UFG
  • PDF DMN2005UFG-13.pdf
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ZVP3306FTA

ZVP3306FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP3306FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 90mA 功率(Pd) 330mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP3306FTA 系列 ZVP3306FTA
  • PDF ZVP3306FTA.pdf
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DMP3028LSD-13

DMP3028LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3028LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.3W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,7A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3028LSD-13 系列 DMP3028LSD
  • PDF DMP3028LSD-13.pdf
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