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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN30H4D0L-13
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 300V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 310mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@300mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN30H4D0L-13 系列 DMN30H4D0L
  • PDF DMN30H4D0L-13.pdf
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ZVN3310A

ZVN3310A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN3310A
  • 封装规格TO-92-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@1mA 电流 200mA 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@500mA,10V 封装 TO-92-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN3310A 系列 ZVN3310A
  • PDF ZVN3310A.pdf
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DMN2300U-7

DMN2300U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2300U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.24A 功率(Pd) 430mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 175mΩ@4.5V,300mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2300U-7 系列 DMN2300U
  • PDF DMN2300U-7.pdf
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BSS84DWQ-7

BSS84DWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84DWQ-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@5V,1mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84DWQ-7 系列 BSS84DWQ
  • PDF BSS84DWQ-7.pdf
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DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3730UFB4-7
  • 封装规格X2-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 750mA 功率(Pd) 470mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@4.5V,200mA 封装 X2-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3730UFB4-7 系列 DMN3730UFB4
  • PDF DMN3730UFB4-7.pdf
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DMP3056LSD-13

DMP3056LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3056LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 6.9A 功率(Pd) 2.5W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,6A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3056LSD-13 系列 DMP3056LSD
  • PDF DMP3056LSD-13.pdf
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DMG9926UDM-7

DMG9926UDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG9926UDM-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 980mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG9926UDM-7 系列 DMG9926UDM
  • PDF DMG9926UDM-7.pdf
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DMP2045UFY4-7

DMP2045UFY4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2045UFY4-7
  • 封装规格X2-DFN2015-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4.7A 功率(Pd) 670mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@4A,4.5V 封装 X2-DFN2015-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2045UFY4-7 系列 DMP2045UFY4
  • PDF DMP2045UFY4-7.pdf
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DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0LDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 360mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@10V,500mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0LDW-7 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-7.pdf
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DMG1013UWQ-7

DMG1013UWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1013UWQ-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 820mA 功率(Pd) 310mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 750mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1013UWQ-7 系列 DMG1013UWQ
  • PDF DMG1013UWQ-7.pdf
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