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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMC1229UFDB-7

DMC1229UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC1229UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6B
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.6A；3.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,5A；37mΩ@4.5V,3.6A 封装 U-DFN2020-6B 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC1229UFDB-7 系列 DMC1229UFDB
  • PDF DMC1229UFDB-7.pdf
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DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6968UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6968UQ-7 系列 DMG6968UQ
  • PDF DMG6968UQ-7.pdf
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DMP1045UFY4-7

DMP1045UFY4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1045UFY4-7
  • 封装规格X2-DFN2015-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.5A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@4.5V,4A 封装 X2-DFN2015-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1045UFY4-7 系列 DMP1045UFY4
  • PDF DMP1045UFY4-7.pdf
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DMG1016UDW-7

DMG1016UDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1016UDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.07A；845mA 功率(Pd) 330mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1016UDW-7 系列 DMG1016UDW
  • PDF DMG1016UDW-7.pdf
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DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3025LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6.5A；4.2A 功率(Pd) 1.2W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@7.4A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3025LSD-13 系列 DMC3025LSD
  • PDF DMC3025LSD-13.pdf
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DMN3731U-7

DMN3731U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3731U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 900mA 功率(Pd) 400mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3731U-7 系列 DMN3731U
  • PDF DMN3731U-7.pdf
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DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6968UDM-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 6.5A 功率(Pd) 850mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,6.5A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6968UDM-7 系列 DMG6968UDM
  • PDF DMG6968UDM-7.pdf
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DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH43M8LPSQ-13
  • 封装规格Power-DI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 22A；100A 功率(Pd) 2.7W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.3mΩ@20A,10V 封装 Power-DI-5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH43M8LPSQ-13 系列 DMTH43M8LPSQ
  • PDF DMTH43M8LPSQ-13.pdf
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ZVP2110A

ZVP2110A-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP2110A
  • 封装规格TO-92L-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 230mA 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@10V,375mA 封装 TO-92L-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP2110A 系列 ZVP2110A
  • PDF ZVP2110A.pdf
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DMN601DMK-7

DMN601DMK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601DMK-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 510mA 功率(Pd) 700mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.4Ω@10V,200mA 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601DMK-7 系列 DMN601DMK
  • PDF DMN601DMK-7.pdf
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