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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2302UKQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@3.6A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2302UKQ-7 系列 DMG2302UKQ
  • PDF DMG2302UKQ-7.pdf
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ZXMP7A17KTC

ZXMP7A17KTC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP7A17KTC
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 70V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 2.11W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP7A17KTC 系列 ZXMP7A17KTC
  • PDF ZXMP7A17KTC.pdf
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DMP2035UVT-7

DMP2035UVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2035UVT-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2035UVT-7 系列 DMP2035UVT
  • PDF DMP2035UVT-7.pdf
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DMP610DL-7

DMP610DL-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP610DL-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 310mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP610DL-7 系列 DMP610DL
  • PDF DMP610DL-7.pdf
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DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H170SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 12A 功率(Pd) 42W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 140mΩ@10V,5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H170SK3-13 系列 DMN10H170SK3
  • PDF DMN10H170SK3-13.pdf
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DMG1029SV-7

DMG1029SV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1029SV-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 500mA；360mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.7Ω@500mA,10V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1029SV-7 系列 DMG1029SV
  • PDF DMG1029SV-7.pdf
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DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN63D8LDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 220mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN63D8LDW-7 系列 DMN63D8LDW
  • PDF DMN63D8LDW-7.pdf
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ZVN4525GTA

ZVN4525GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4525GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 250V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@1mA 电流 310mA 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4525GTA 系列 ZVN4525GTA
  • PDF ZVN4525GTA.pdf
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DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC6040SSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5.1A；3.1A 功率(Pd) 1.24W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@8A,10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC6040SSD-13 系列 DMC6040SSD
  • PDF DMC6040SSD-13.pdf
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DMN2058U-7

DMN2058U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2058U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 1.13W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2058U-7 系列 DMN2058U
  • PDF DMN2058U-7.pdf
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