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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6016LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 9.2A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 18mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6016LSS-13 系列 DMT6016LSS
  • PDF DMT6016LSS-13.pdf
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ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A13FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 900mA 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@10V,900mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A13FTA 系列 ZXMP6A13FTA
  • PDF ZXMP6A13FTA.pdf
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BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123WQ-7-F
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123WQ-7-F 系列 BSS123WQ
  • PDF BSS123WQ-7-F.pdf
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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6601LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 3.8A；2.5A 功率(Pd) 850mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@3.4A,10V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6601LVT-7 系列 DMG6601LVT
  • PDF DMG6601LVT-7.pdf
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DMN2230U-7

DMN2230U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2230U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 600mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.5A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2230U-7 系列 DMN2230U
  • PDF DMN2230U-7.pdf
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DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2300UFB4-7B
  • 封装规格DFN-3(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.3A 功率(Pd) 500mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 175mΩ@4.5V,300mA 封装 DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2300UFB4-7B 系列 DMN2300UFB4
  • PDF DMN2300UFB4-7B.pdf
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DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT8012LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 80V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 44A 功率(Pd) 2.7W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT8012LK3-13 系列 DMT8012LK3
  • PDF DMT8012LK3-13.pdf
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DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMNH6021SK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 50A 功率(Pd) 2.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 23mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMNH6021SK3Q-13 系列 DMNH6021SK3Q
  • PDF DMNH6021SK3Q-13.pdf
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DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6016LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 7.6A 功率(Pd) 1.9W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 19.5mΩ@10V,10A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6016LSD-13 系列 DMTH6016LSD
  • PDF DMTH6016LSD-13.pdf
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DMG3404L-7

DMG3404L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3404L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 780mW 沟道 N 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3404L-7 系列 DMG3404L
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