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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMP3018SFV-7

DMP3018SFV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3018SFV-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 11A；35A 功率(Pd) 11A；35A 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@11.5A,10V 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3018SFV-7 系列 DMP3018SFV
  • PDF DMP3018SFV-7.pdf
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ZXMP6A17GQTA

ZXMP6A17GQTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A17GQTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 125mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A17GQTA 系列 ZXMP6A17GQTA
  • PDF ZXMP6A17GQTA.pdf
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DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT4011LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 30A 功率(Pd) 15.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT4011LFG-7 系列 DMT4011LFG
  • PDF DMT4011LFG-7.pdf
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DMP3160L-7

DMP3160L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3160L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 2.7A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 122mΩ@10V,2.7A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3160L-7 系列 DMP3160L
  • PDF DMP3160L-7.pdf
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DMP3099L-13

DMP3099L-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3099L-13
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3099L-13 系列 DMP3099L
  • PDF DMP3099L-13.pdf
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DMP1005UFDF-7

DMP1005UFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1005UFDF-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 26A 功率(Pd) 2.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5mΩ@4.5V,5A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1005UFDF-7 系列 DMP1005UFDF
  • PDF DMP1005UFDF-7.pdf
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ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61N02FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 700mV@250uA 电流 1.7A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 180mΩ@4.5V,930mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61N02FTA 系列 ZXM61N02FTA
  • PDF ZXM61N02FTA.pdf
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DMP3036SSD-13

DMP3036SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3036SSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 10.6A 功率(Pd) 1.2W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,9A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3036SSD-13 系列 DMP3036SSD
  • PDF DMP3036SSD-13.pdf
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DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H220LQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 1.3W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ@1.6A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H220LQ-7 系列 DMN10H220LQ
  • PDF DMN10H220LQ-7.pdf
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2N7002Q-7-F

2N7002Q-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002Q-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 210mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@500mA,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002Q-7-F 系列 2N7002Q
  • PDF 2N7002Q-7-F.pdf
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