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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN63D8LW-13
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 380mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN63D8LW-13 系列 DMN63D8LW
  • PDF DMN63D8LW-13.pdf
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DMN5L06K-7

DMN5L06K-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN5L06K-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 300mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN5L06K-7 系列 DMN5L06K
  • PDF DMN5L06K-7.pdf
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DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH8003SPS-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 80V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 100A 功率(Pd) 2.9W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.9mΩ@10V,30A 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH8003SPS-13 系列 DMTH8003SPS
  • PDF DMTH8003SPS-13.pdf
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BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS138Q-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 200mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.5Ω@10V,220mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS138Q-7-F 系列 BSS138Q
  • PDF BSS138Q-7-F.pdf
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DMP4015SSS-13

DMP4015SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4015SSS-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 9.1A 功率(Pd) 1.45W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4015SSS-13 系列 DMP4015SSS
  • PDF DMP4015SSS-13.pdf
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ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A13FQTA
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 600mA 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@600mA,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A13FQTA 系列 ZXMP10A13FQTA
  • PDF ZXMP10A13FQTA.pdf
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DMC2400UV-13

DMC2400UV-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2400UV-13
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 1.03A；700mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@4.5V,200mA；700mΩ@4.5V,100mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2400UV-13 系列 DMC2400UV
  • PDF DMC2400UV-13.pdf
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DMC2004DWK-7

DMC2004DWK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2004DWK-7
  • 封装规格SOT-363-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述生产商DIODES(美台)产品分类场效应管(MOSFET)系列DMC2004DWK安装类型SMT封装/外壳SOT-363-6阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA电流540mA；430mA功率(Pd)250mW耐压20V导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@4.5V,540mA；700mΩ@4.5V,430mA沟道1个N和1个P
  • PDF DMC2004DWK-7.pdf
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BSS123TA

BSS123TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123TA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 360mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123TA 系列 BSS123TA
  • PDF BSS123TA.pdf
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DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN61D9UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 340mA 功率(Pd) 320mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN61D9UW-7 系列 DMN61D9UW
  • PDF DMN61D9UW-7.pdf
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