关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
上传BOMBOM
全部产品
首页 品牌库 商品目录 BOM 新闻资讯 解决方案 关于我们 联系我们
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN2004K-7

DMN2004K-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004K-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 630mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004K-7 系列 DMN2004K
  • PDF DMN2004K-7.pdf
在线咨询
DMP4013LFG-7

DMP4013LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4013LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 10.3A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4013LFG-7 系列 DMP4013LFG
  • PDF DMP4013LFG-7.pdf
在线咨询
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0LDW-13
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 360mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0LDW-13 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-13.pdf
在线咨询
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H4D2S-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 270mA 功率(Pd) 380mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.2Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H4D2S-7 系列 DMP10H4D2S
  • PDF DMP10H4D2S-7.pdf
在线咨询
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG4800LSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA 电流 7.5A 功率(Pd) 1.17W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG4800LSD-13 系列 DMG4800LSD
  • PDF DMG4800LSD-13.pdf
在线咨询
DMP4047SK3-13

DMP4047SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4047SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 20A 功率(Pd) 1.6W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.4A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4047SK3-13 系列 DMP4047SK3
  • PDF DMP4047SK3-13.pdf
在线咨询
ZVN3310FTA

ZVN3310FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN3310FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@1mA 电流 100mA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN3310FTA 系列 ZVN3310FTA
  • PDF ZVN3310FTA.pdf
在线咨询
DMP6185SE-13

DMP6185SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6185SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6185SE-13 系列 DMP6185SE
  • PDF DMP6185SE-13.pdf
在线咨询
BS170FTA

BS170FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS170FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 150uA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS170FTA 系列 BS170FTA
  • PDF BS170FTA.pdf
在线咨询
DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6068LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 2.12W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6068LK3-13 系列 DMN6068LK3
  • PDF DMN6068LK3-13.pdf
在线咨询
共1180记录«上一页1... 2021222324252627...118下一页»
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号