关于我们 联系我们 1986587488919865874889
语言选择
电子元器件一站式服务平台
首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP45H4D9HK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 450V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5V@250uA 电流 4.7A 功率(Pd) 104W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.9Ω@1.05A,10V 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP45H4D9HK3-13 系列 DMP45H4D9HK3
  • PDF DMP45H4D9HK3-13.pdf
DMP3098LQ-7

DMP3098LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3098LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3098LQ-7 系列 DMP3098LQ
  • PDF DMP3098LQ-7.pdf
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6180SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.7V@250uA 电流 14A 功率(Pd) 1.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6180SK3-13 系列 DMP6180SK3
  • PDF DMP6180SK3-13.pdf
ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN6A07FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.2A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@1.8A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN6A07FTA 系列 ZXMN6A07FTA
  • PDF ZXMN6A07FTA.pdf
DMG3420U-7

DMG3420U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3420U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 5.47A 功率(Pd) 740mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3420U-7 系列 DMG3420U
  • PDF DMG3420U-7.pdf
DMP3028LFDE-13

DMP3028LFDE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3028LFDE-13
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3028LFDE-13 系列 DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-13.pdf
DMG2307LQ-7

DMG2307LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2307LQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.5A 功率(Pd) 760mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@2.5A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2307LQ-7 系列 DMG2307LQ
  • PDF DMG2307LQ-7.pdf
DMN4035L-7

DMN4035L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN4035L-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 720mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 42mΩ@10V,4.3A 封装  SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN4035L-7 系列 DMN4035L
  • PDF DMN4035L-7.pdf
DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMPH6050SK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.2A;23.6A 功率(Pd) 1.9W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@10V,7A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMPH6050SK3Q-13 系列 DMPH6050SK3Q
  • PDF DMPH6050SK3Q-13.pdf
DMP2240UDM-7

DMP2240UDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2240UDM-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 600mW 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2240UDM-7 系列 DMP2240UDM
  • PDF DMP2240UDM-7.pdf
Copyright © 2023深圳市华芯创优电子有限公司版权所有 粤ICP备2023111934号