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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMN2058UW-7

DMN2058UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2058UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd) 500mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 42mΩ@3A,10V 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2058UW-7 系列 DMN2058UW
  • PDF DMN2058UW-7.pdf
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DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3415UFY4Q-7
  • 封装规格DFN-3(1.5x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 16V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.5A 功率(Pd) 650mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 39mΩ@4A,4.5V 封装 DFN-3(1.5x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3415UFY4Q-7 系列 DMG3415UFY4Q
  • PDF DMG3415UFY4Q-7.pdf
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DMP3125L-7

DMP3125L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3125L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 2.5A 功率(Pd) 650mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 95mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3125L-7 系列 DMP3125L
  • PDF DMP3125L-7.pdf
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DMP6110SSD-13

DMP6110SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6110SSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3.3A 功率(Pd) 1.2W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 105mΩ@10V,4.5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6110SSD-13 系列 DMP6110SSD
  • PDF DMP6110SSD-13.pdf
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DMP4015SPSQ-13

DMP4015SPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4015SPSQ-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 8.5A 功率(Pd) 1.3W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,9.8A 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4015SPSQ-13 系列 DMP4015SPSQ
  • PDF DMP4015SPSQ-13.pdf
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DMP2160UW-7

DMP2160UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2160UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 1.5A 功率(Pd) 350mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,1.5A 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160UW-7 系列 DMP2160UW
  • PDF DMP2160UW-7.pdf
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DMG1024UV-7

DMG1024UV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1024UV-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.38A 功率(Pd) 530mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 450mΩ@600mA,4.5V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1024UV-7 系列 DMG1024UV
  • PDF DMG1024UV-7.pdf
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DMG3414U-7

DMG3414U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3414U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 780mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3414U-7 系列 DMG3414U
  • PDF DMG3414U-7.pdf
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DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4065SQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 720mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@4.2A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4065SQ-7 系列 DMP4065SQ
  • PDF DMP4065SQ-7.pdf
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ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61P03FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.1A 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@10V,600mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61P03FTA 系列 ZXM61P03FTA
  • PDF ZXM61P03FTA.pdf
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