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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
BSS123Q-7

BSS123Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123Q-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123Q-7 系列 BSS123Q
  • PDF BSS123Q-7.pdf
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DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6016LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 9.8A；37A 功率(Pd) 37.5W；2.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@20A,10V 封装 PowerDI-5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6016LPSQ-13 系列 DMTH6016LPSQ
  • PDF DMTH6016LPSQ-13.pdf
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DMP2004K-7

DMP2004K-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2004K-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 600mA 功率(Pd) 550mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2004K-7 系列 DMP2004K
  • PDF DMP2004K-7.pdf
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DMP6023LFGQ-13

DMP6023LFGQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6023LFGQ-13
  • 封装规格PowerDI-3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.7A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V 封装 PowerDI-3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6023LFGQ-13 系列 DMP6023LFGQ
  • PDF DMP6023LFGQ-13.pdf
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DMG2301LK-7

DMG2301LK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2301LK-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 840mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@4.5V,1A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2301LK-7 系列 DMG2301LK
  • PDF DMG2301LK-7.pdf
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DMP4025LSD-13

DMP4025LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4025LSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.9A 功率(Pd) 1.8W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4025LSD-13 系列 DMP4025LSD
  • PDF DMP4025LSD-13.pdf
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ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A17E6TA
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 1.3A 功率(Pd) 1.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@10V,1.4A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A17E6TA 系列 ZXMP10A17E6TA
  • PDF ZXMP10A17E6TA.pdf
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DMP6018LPSQ-13

DMP6018LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6018LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 60A 功率(Pd) 113W；2.6W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 18mΩ@17A,10V 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6018LPSQ-13 系列 DMP6018LPSQ
  • PDF DMP6018LPSQ-13.pdf
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DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3056LDM-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd) 1.25W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,5A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3056LDM-7 系列 DMP3056LDM
  • PDF DMP3056LDM-7.pdf
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2N7002H-7

2N7002H-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002H-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 170mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002H-7 系列 2N7002H
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