О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG2302UKQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 90mΩ@3.6A,4.5V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG2302UKQ-7 系列 DMG2302UKQ
  • PDF DMG2302UKQ-7.pdf
ZXMP7A17KTC

ZXMP7A17KTC-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMP7A17KTC
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 2.11W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES ZXMP7A17KTC 系列 ZXMP7A17KTC
  • PDF ZXMP7A17KTC.pdf
DMP2035UVT-7

DMP2035UVT-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP2035UVT-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.2W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP2035UVT-7 系列 DMP2035UVT
  • PDF DMP2035UVT-7.pdf
DMP610DL-7

DMP610DL-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP610DL-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 310mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMP610DL-7 系列 DMP610DL
  • PDF DMP610DL-7.pdf
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN10H170SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 12A 功率(Pd) 42W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 140mΩ@10V,5A 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN10H170SK3-13 系列 DMN10H170SK3
  • PDF DMN10H170SK3-13.pdf
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMG1029SV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA 电流 500mA;360mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.7Ω@500mA,10V 封装 SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMG1029SV-7 系列 DMG1029SV
  • PDF DMG1029SV-7.pdf
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN63D8LDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA 电流 220mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA 封装 SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN63D8LDW-7 系列 DMN63D8LDW
  • PDF DMN63D8LDW-7.pdf
ZVN4525GTA

ZVN4525GTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVN4525GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 250V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@1mA 电流 310mA 功率(Pd) 2W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA 封装 SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES ZVN4525GTA 系列 ZVN4525GTA
  • PDF ZVN4525GTA.pdf
DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMC6040SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 5.1A;3.1A 功率(Pd) 1.24W 沟道 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@8A,10V 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMC6040SSD-13 系列 DMC6040SSD
  • PDF DMC6040SSD-13.pdf
DMN2058U-7

DMN2058U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2058U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 1.13W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 DIODES DMN2058U-7 系列 DMN2058U
  • PDF DMN2058U-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 2122232425262728...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd