О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STB15N80K5

STB15N80K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTB15N80K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB15N80K5корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)14Aмощность (Pd)190Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)300mΩ@10V,7Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)32nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.1nF@100vёмкость обратной передачи …
  • PDF STB15N80K5.pdf
Консультация
STD120N4F6

STD120N4F6-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD120N4F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD120N4F6корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4mΩ@40A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)65nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.85nF@25Vрабочая температура -55℃~…
  • PDF STD120N4F6.pdf
Консультация
STN4NF06L

STN4NF06L-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTN4NF06L
  • КорпусTO-261-4
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN4NF06Lкорпус TO-261-4тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)4Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)100mΩ@1.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.8V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)9nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STN4NF06L.pdf
Консультация
STP16NF06L

STP16NF06L-TI

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP16NF06L
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительTI
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP16NF06Lкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)16Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)90mΩ@10V,8Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)345pF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STP16NF06L.pdf
Консультация
STP150N10F7

STP150N10F7-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP150N10F7
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP150N10F7корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)117nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)8.115nF@50Vрабочий …
  • PDF STP150N10F7.pdf
Консультация
STP40NF10

STP40NF10-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP40NF10
  • КорпусTO-220AB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP40NF10корпус TO-220AB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,25Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)62nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.18nF@25Vобратная передача …
  • PDF STP40NF10.pdf
Консультация
STW11NM80

STW11NM80-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW11NM80
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW11NM80корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)350mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)43.6nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.63nF@25V反向传…
  • PDF STW11NM80.pdf
Консультация
STP100N10F7

STP100N10F7-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP100N10F7
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP100N10F7корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@40A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)61nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)4.369nF@50Vрабочий 温…
  • PDF STP100N10F7.pdf
Консультация
STF22NM60N

STF22NM60N-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTF22NM60N
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF22NM60Nкорпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)16Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)220mΩ@10V,8Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@100uA
  • PDF STF22NM60N.pdf
Консультация
STD25NF20

STD25NF20-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD25NF20
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD25NF20корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)18Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)125mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)39nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)940pF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STD25NF20.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 112113114115116117118119...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd