О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STO36N60M6

STO36N60M6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTO36N60M6
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STO36N60M6封装TOLL类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)30A功率(Pd)230Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)99mΩ@15A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.75V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)44.3nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.96nF@100V工作温…
  • PDF STO36N60M6.pdf
Консультация
STL26NM60N

STL26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL26NM60N
  • КорпусSMD
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STL26NM60N封装SMD类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)2.7A；19A功率(Pd)125mW；3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.8nF@50V反…
  • PDF STL26NM60N.pdf
Консультация
STP100N8F6

STP100N8F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP100N8F6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP100N8F6封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)80Vпостоянный ток стока (Id)100A功率(Pd)176Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,50Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)100nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.955nF@25Vобратная передача 电…
  • PDF STP100N8F6.pdf
Консультация
STP20N65M5

STP20N65M5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP20N65M5
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP20N65M5封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)650Vпостоянный ток стока (Id)18A功率(Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)190mΩ@9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.345nF@100Vобратная передача …
  • PDF STP20N65M5.pdf
Консультация
STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTQ2HNK60ZR-AP
  • КорпусTO-92
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STQ2HNK60ZR-AP封装TO-92类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)500mA功率(Pd)3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.8Ω@1A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)15nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)280pF@25Vрабочая температура …
  • PDF STQ2HNK60ZR-AP.pdf
Консультация
STD35NF06T4

STD35NF06T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD35NF06T4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD35NF06T4封装DPAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)35A功率(Pd)80Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)20mΩ@10V,17.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STD35NF06T4.pdf
Консультация
STP2N80K5

STP2N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP2N80K5
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP2N80K5封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）800 V25°C 时电流 - постоянный ток стока (Id)2A（Tc）驱动电压10V不同 Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 4.5 欧姆 @ 1A，10V不…
  • PDF STP2N80K5.pdf
Консультация
STP55NF06

STP55NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP55NF06
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP55NF06封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)50A功率(Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STP55NF06.pdf
Консультация
STP55NF06

STP55NF06-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP55NF06
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP55NF06封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)50A功率(Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STP55NF06.pdf
Консультация
STP80NF10

STP80NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP80NF10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описание生产商STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP80NF10封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)80A功率(Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)182nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.5nF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STP80NF10.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 104105106107108109110111...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd