О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STB6NK90ZT4

STB6NK90ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB6NK90ZT4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STB6NK90ZT4封装D2PAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)5.8A功率(Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2Ω@2.9A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.35nF@25V反向传…
  • PDF STB6NK90ZT4.pdf
Консультация
STD45P4LLF6AG

STD45P4LLF6AG-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD45P4LLF6AG
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD45P4LLF6AG封装DPAK类型1个P沟道напряжение сток-исток (Vdss)40Vпостоянный ток стока (Id)50A功率(Pd)58Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@25A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)65.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.525nF@25V工作温…
  • PDF STD45P4LLF6AG.pdf
Консультация
STD40NF10

STD40NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD40NF10
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD40NF10封装DPAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)50A功率(Pd)125Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)25mΩ@10V,25Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)62nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.18nF@25Vёмкость обратной передачи (…
  • PDF STD40NF10.pdf
Консультация
STF33N60M2

STF33N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF33N60M2
  • КорпусTO-220FP-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STF33N60M2封装TO-220FP-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)26A功率(Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)125mΩ@13A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.781nF@100V工…
  • PDF STF33N60M2.pdf
Консультация
STW48N60M2

STW48N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW48N60M2
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STW48N60M2封装TO-247AC-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)42A功率(Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)70mΩ@10V,21Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STW48N60M2.pdf
Консультация
STP43N60DM2

STP43N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP43N60DM2
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP43N60DM2封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)34A功率(Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)93mΩ@10V,17Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)56nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.5nF@100Vрабочая температура -…
  • PDF STP43N60DM2.pdf
Консультация
STP18N60M2

STP18N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP18N60M2
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP18N60M2封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）600 V25°C 时电流 - постоянный ток стока (Id)13A（Tc）驱动电压10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 280 毫欧 @ 6.5A，1…
  • PDF STP18N60M2.pdf
Консультация
STB60NF06LT4

STB60NF06LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB60NF06LT4
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STB60NF06LT4封装TO-263-2类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)60A功率(Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)14mΩ@10V,30Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)66nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2nF@25Vрабочая температура -…
  • PDF STB60NF06LT4.pdf
Консультация
STF9NK90Z

STF9NK90Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF9NK90Z
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STF9NK90Z封装TO-220F-3类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)8A功率(Pd)40Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STF9NK90Z.pdf
Консультация
STD8N60DM2

STD8N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD8N60DM2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STD8N60DM2封装DPAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)8A功率(Pd)85Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)600mΩ@10V,4Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)375pF@100V
  • PDF STD8N60DM2.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 102103104105106107108109...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd