О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE6020AK

NCE6020AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6020AK
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 20A 功率(Pd)  45W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6020AK
  • PDF NCE6020AK.pdf
Консультация
NCE6050KA

NCE6050KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6050KA
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 50A 功率(Pd)  85W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6050KA
  • PDF NCE6050KA.pdf
Консультация
NCE60P50K

NCE60P50K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P50K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 50A 功率(Pd)  95W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 23mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60P50K
  • PDF NCE60P50K.pdf
Консультация
NCE6080K

NCE6080K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6080K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  110W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6080K
  • PDF NCE6080K.pdf
Консультация
NCE60P04Y

NCE60P04Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P04Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V 阈值电压 3V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  1.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 120mΩ@10V,4A 封装 SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60P04Y
  • PDF NCE60P04Y.pdf
Консультация
NCE6005AS

NCE6005AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6005AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  2W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6005AS
  • PDF NCE6005AS.pdf
Консультация
NCE6005AR

NCE6005AR-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6005AR
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  2W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 35mΩ@4.5V,5A 封装 SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6005AR
  • PDF NCE6005AR.pdf
Консультация
NCE01P30K

NCE01P30K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P30K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 30A 功率(Pd)  120W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 58mΩ@10V,15A 封装 TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE01P30K
  • PDF NCE01P30K.pdf
Консультация
NCE60P25K

NCE60P25K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P25K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 25A 功率(Pd)  90W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 45mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60P25K
  • PDF NCE60P25K.pdf
Консультация
NCE2309

NCE2309-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2309
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 2V@250uA 电流 1.6A 功率(Pd)  1.5W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 140mΩ@10V,1.5A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE2309
  • PDF NCE2309.pdf
Консультация
NCE40P70K

NCE40P70K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P70K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 70A 功率(Pd)  130W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE40P70K
  • PDF NCE40P70K.pdf
Консультация
NCE01P13K

NCE01P13K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P13K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V 阈值电压 3V@250uA 电流 13A 功率(Pd)  40W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 200mΩ@10V,16A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE01P13K
  • PDF NCE01P13K.pdf
Консультация
NCE0102

NCE0102-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0102
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 2A 功率(Pd)  1.25W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 240mΩ@10V,1A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE0102
  • PDF NCE0102.pdf
Консультация
NCE40P40K

NCE40P40K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P40K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V 阈值电压 3V@250uA 电流 40A 功率(Pd)  80W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,12A 封装  TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE40P40K
  • PDF NCE40P40K.pdf
Консультация
NCE3080K

NCE3080K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3080K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  83W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,30A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE3080K
  • PDF NCE3080K.pdf
Консультация
NCE3401

NCE3401-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3401
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V 阈值电压 1.3V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd)  1.2W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 55mΩ@10V,4.2A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE3401
  • PDF NCE3401.pdf
Консультация
NCEP0178AK

NCEP0178AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0178AK
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 78A 功率(Pd)  125W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,39A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP0178AK
  • PDF NCEP0178AK.pdf
Консультация
NCE6003X

NCE6003X-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003X
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 - 电流 30A 功率(Pd)  1.7W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 90mΩ @ VGS=10V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6003X
  • PDF NCE6003X.pdf
Консультация
NCE30P30K

NCE30P30K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P30K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 30A 功率(Pd)  60W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 18mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE30P30K
  • PDF NCE30P30K.pdf
Консультация
NCEP1520K

NCEP1520K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1520K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V 阈值电压 4.5V@250uA 电流 20A 功率(Pd)  68W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 65mΩ@10V,10A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP1520K
  • PDF NCEP1520K.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1234...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd