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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
ZXMP10A18KTC

ZXMP10A18KTC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A18KTC
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 2.17W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.8A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A18KTC 系列 ZXMP10A18KTC
  • PDF ZXMP10A18KTC.pdf
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DMN3051L-7

DMN3051L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3051L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 700mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 38mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3051L-7 系列 DMN3051L
  • PDF DMN3051L-7.pdf
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DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3009LFVW-7
  • 封装规格PDFN-8(3.1x3.1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 60A 功率(Pd) 1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,30A 封装 PDFN-8(3.1x3.1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3009LFVW-7 系列 DMN3009LFVW
  • PDF DMN3009LFVW-7.pdf
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ZXMS6004FFQTA

ZXMS6004FFQTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMS6004FFQTA
  • 封装规格SOT-23F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60 V 阈值电压(Vgs(th)@Id) - 电流 1.3 A 功率(Pd) 1.5 W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 500 mOhms 封装 SOT-23F 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMS6004FFQTA 系列 ZXMS6004FFQTA
  • PDF ZXMS6004FFQTA.pdf
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DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP1045UQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 800mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 31mΩ@4A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP1045UQ-7 系列 DMP1045UQ
  • PDF DMP1045UQ-7.pdf
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DMC1030UFDB-7

DMC1030UFDB-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC1030UFDB-7
  • 封装规格U-DFN2020-6D
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 5.1A；3.9A 功率(Pd) 1.36W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@4.5V,4.6A；37mΩ@4.5V,3.6A 封装 U-DFN2020-6D 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC1030UFDB-7 系列 DMC1030UFDB
  • PDF DMC1030UFDB-7.pdf
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DMC3400SDW-7

DMC3400SDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC3400SDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA 电流 650mA；450mA 功率(Pd) 310mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@590mA,10V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC3400SDW-7 系列 DMC3400SDW
  • PDF DMC3400SDW-7.pdf
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DMC2700UDM-7

DMC2700UDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2700UDM-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.34A；1.14A 功率(Pd) 1.12W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@600mA,4.5V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2700UDM-7 系列 DMC2700UDM
  • PDF DMC2700UDM-7.pdf
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DMP6110SFDF-7

DMP6110SFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6110SFDF-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.2A 功率(Pd) 1.97W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@4.5A,10V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6110SFDF-7 系列 DMP6110SFDF
  • PDF DMP6110SFDF-7.pdf
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ZXM61P02FTA

ZXM61P02FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXM61P02FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 900mA 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 600mΩ@4.5V,610mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXM61P02FTA 系列 ZXM61P02FTA
  • PDF ZXM61P02FTA.pdf
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