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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMP3098LSD-13

DMP3098LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3098LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 4.4A 功率(Pd) 1.8W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 65mΩ@5A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3098LSD-13 系列 DMP3098LSD
  • PDF DMP3098LSD-13.pdf
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DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3016LFDE-7
  • 封装规格UDFN2020-6-EP
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 10A 功率(Pd) 730mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 12mΩ@10V,11A 封装 UDFN2020-6-EP 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3016LFDE-7 系列 DMN3016LFDE
  • PDF DMN3016LFDE-7.pdf
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DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3135LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250uA 电流 3.5A 功率(Pd) 840mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V,3.1A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3135LVT-7 系列 DMN3135LVT
  • PDF DMN3135LVT-7.pdf
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DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6010LPDQ-13
  • 封装规格TDFN-8-Power
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 13.1A；47.6A 功率(Pd) 2.8W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@20A,10V 封装 TDFN-8-Power 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6010LPDQ-13 系列 DMTH6010LPDQ
  • PDF DMTH6010LPDQ-13.pdf
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DMN2310U-7

DMN2310U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2310U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.6A 功率(Pd) 480mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 175mΩ@300mA,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2310U-7 系列 DMN2310U
  • PDF DMN2310U-7.pdf
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DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3020UFDF-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 15A 功率(Pd) 2.03W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 19mΩ@4.5A,4.5V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3020UFDF-7 系列 DMN3020UFDF
  • PDF DMN3020UFDF-7.pdf
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DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3018SSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 7.3A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 21mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3018SSS-13 系列 DMN3018SSS
  • PDF DMN3018SSS-13.pdf
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ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP3A13FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 1.4A 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 210mΩ@10V,1.4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP3A13FTA 系列 ZXMP3A13FTA
  • PDF ZXMP3A13FTA.pdf
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BSS84Q-7-F

BSS84Q-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS84Q-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 130mA 功率(Pd) 300mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@10V,12.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS84Q-7-F 系列 BSS84Q
  • PDF BSS84Q-7-F.pdf
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DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG7430LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 10.5A 功率(Pd) 900mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11mΩ@10V,20A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG7430LFG-7 系列 DMG7430LFG
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