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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMHC4035LSD-13
  • 封装规格SO-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.5A；3.7A 功率(Pd) 1.5W 沟道 2个N和2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V 封装 SO-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMHC4035LSD-13 系列 DMHC4035LSD
  • PDF DMHC4035LSD-13.pdf
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DMP4013LFGQ-7

DMP4013LFGQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4013LFGQ-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 10.3A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4013LFGQ-7 系列 DMP4013LFGQ
  • PDF DMP4013LFGQ-7.pdf
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DMN601TK-7

DMN601TK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN601TK-7
  • 封装规格SOT-523-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@1mA 电流 300mA 功率(Pd) 150mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA 封装 SOT-523-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN601TK-7 系列 DMN601TK
  • PDF DMN601TK-7.pdf
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ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN2B01FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.1A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.4A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN2B01FTA 系列 ZXMN2B01FTA
  • PDF ZXMN2B01FTA.pdf
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DMP2160U-7

DMP2160U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2160U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 3.2A 功率(Pd) 1.4W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,1.5A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2160U-7 系列 DMP2160U DMP2160U-7
  • PDF DMP2160U-7.pdf
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DMP3010LK3-13

DMP3010LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3010LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 17A 功率(Pd) 1.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8mΩ@10V,10A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3010LK3-13 系列 DMP3010LK3
  • PDF DMP3010LK3-13.pdf
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DMN3150L-7

DMN3150L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3150L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 28V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 85mΩ@4.5V,3.6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3150L-7 系列 DMN3150L
  • PDF DMN3150L-7.pdf
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DMC2038LVT-7

DMC2038LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC2038LVT-7
  • 封装规格TSOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.7A；2.6A 功率(Pd) 800mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V 封装 TSOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC2038LVT-7 系列 DMC2038LVT
  • PDF DMC2038LVT-7.pdf
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DMP3085LSD-13

DMP3085LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3085LSD-13
  • 封装规格SOIC-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3.9A 功率(Pd) 1.1W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,5.3A 封装 SOIC-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3085LSD-13 系列 DMP3085LSD
  • PDF DMP3085LSD-13.pdf
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DMN3032LFDBQ-7

DMN3032LFDBQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3032LFDBQ-7
  • 封装规格DFN2020-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd) 1W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@5.8A,10V 封装 DFN2020-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3032LFDBQ-7 系列 DMN3032LFDBQ
  • PDF DMN3032LFDBQ-7.pdf
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