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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DMP2035UVTQ-7

DMP2035UVTQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2035UVTQ-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 7.2A 功率(Pd) 2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4A,4.5V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2035UVTQ-7 系列 DMP2035UVTQ
  • PDF DMP2035UVTQ-7.pdf
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DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6066SSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3.7A 功率(Pd) 1.56W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 66mΩ@4.5A,10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6066SSS-13 系列 DMN6066SSS
  • PDF DMN6066SSS-13.pdf
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ZVN4106FTA

ZVN4106FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4106FTA
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 200mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.5Ω@10V,500mA 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4106FTA 系列 ZVN4106FTA
  • PDF ZVN4106FTA.pdf
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DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN30H4D0LFDE-7
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 300V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.8V@250uA 电流 550mA 功率(Pd) 630mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4Ω@10V,300mA 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN30H4D0LFDE-7 系列 DMN30H4D0LFDE
  • PDF DMN30H4D0LFDE-7.pdf
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DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6004SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 100A 功率(Pd) 3.9W；180W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3.8mΩ@10V,90A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6004SK3-13 系列 DMTH6004SK3
  • PDF DMTH6004SK3-13.pdf
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DMN62D0U-7

DMN62D0U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN62D0U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 380mA 功率(Pd) 380mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@4.5V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN62D0U-7 系列 DMN62D0U
  • PDF DMN62D0U-7.pdf
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DMP3037LSS-13

DMP3037LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3037LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3037LSS-13 系列 DMP3037LSS
  • PDF DMP3037LSS-13.pdf
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DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN63D8LV-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 260mA 功率(Pd) 450mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.8Ω@10V,200mA 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN63D8LV-7 系列 DMN63D8LV
  • PDF DMN63D8LV-7.pdf
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DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN1260UFA-7B
  • 封装规格DFN-3(0.6x0.8)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 500mA 功率(Pd) 360mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 366mΩ@200mA,4.5V 封装 DFN-3(0.6x0.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN1260UFA-7B 系列 DMN1260UFA
  • PDF DMN1260UFA-7B.pdf
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2N7002E-7-F

2N7002E-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002E-7-F
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 250mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 3Ω@10V,250mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002E-7-F 系列 2N7002E
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